[其他]用于涂布基板的设备有效
申请号: | 201490001611.1 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN208791745U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·塞韦林;马库斯·本德;马库斯·哈尼卡;拉尔夫·林登贝格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/50 | 分类号: | C23C14/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射源 真空处理腔室 溅射 施加 电源 涂布基板 平移运动 控制器 功率源 移动 | ||
1.一种用于涂布基板的设备,其特征在于,所述设备包括:
真空处理腔室,所述真空处理腔室包括:
溅射组件,所述溅射组件包括溅射源,其中所述溅射组件可以相对于所述真空处理腔室的平移运动的方式移动;以及
其中所述设备包括:
电源,用以施加功率至所述溅射源;以及
控制器,所述控制器经构造用以依据所述真空处理腔室中的所述溅射组件或所述溅射源的当前位置,来控制从下述群组中选择的至少一个功率参数:由所述电源施加到所述溅射源的所述功率、由所述电源施加到所述溅射源的电压、以及由所述电源施加到所述溅射源的电流。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述溅射源包括可旋转靶材。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述平移运动平行于基板引导系统。
4.根据权利要求1所述的设备,包括设置于所述真空处理腔室中的基板引导系统,所述基板引导系统经设置用于在涂布期间支撑所述基板,并用于将所述基板移入所述真空处理腔室及移出所述真空处理腔室,其中所述平移运动平行于所述基板引导系统。
5.根据权利要求2所述的设备,包括设置于所述真空处理腔室中的基板引导系统,所述基板引导系统经设置用于在涂布期间支撑所述基板,并用于将所述基板移入所述真空处理腔室及移出所述真空处理腔室,其中所述平移运动平行于所述基板引导系统。
6.根据权利要求1所述的设备,包括耦接至所述溅射组件的驱动系统,其中所述驱动系统经构造用于实现所述溅射组件的所述平移运动,其中所述控制器耦接至所述驱动系统,用以控制所述溅射组件的所述平移运动。
7.根据权利要求3所述的设备,包括耦接至所述溅射组件的驱动系统,其中所述驱动系统经构造用于实现所述溅射组件的所述平移运动,其中所述控制器耦接至所述驱动系统,用以控制所述溅射组件的所述平移运动。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述溅射源经构造,使得所述溅射源在第一位置中不面对所述基板,并且其中所述溅射源经构造,使得所述溅射源在第二位置中面对所述基板。
9.根据权利要求2所述的设备,其中所述溅射源经构造,使得所述溅射源在第一位置中不面对所述基板,并且其中所述溅射源经构造,使得所述溅射源在第二位置中面对所述基板。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器经构造用于持续调整所述至少一个功率参数中的至少一个功率参数。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的设备,其中所述控制器包括存储器,所述存储器包含功率配置,所述功率配置作为所述真空处理腔室中的所述溅射源的位置的函数,其中所述控制器经构造来读取所述功率配置,以依据所述真空处理腔室中的所述溅射源的位置,决定施加到所述溅射源的所述功率。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的设备,其中所述溅射组件包括N个另外的溅射源,其中N在1至10的范围内,且其中所述N个另外的溅射源和所述溅射源的类型相同,且其中所述控制器经构造用于依据所述溅射组件、或所述溅射源、或所述N个另外的溅射源中的一个溅射源的所述当前位置,控制下述参数中选择的至少一个功率参数:由所述电源施加到所述溅射源及所述N个另外的溅射源的总功率、所述溅射源及所述N个另外的溅射源的中的总功率分布、由所述电源施加到所述溅射源及所述N个另外的溅射源的电压、以及由所述电源施加到所述溅射源及所述N个另外的溅射源的电流。
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