[发明专利]一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管

权利要求书

1.一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，包括：

P型衬底，

设在所述P型衬底上的N型埋层，

设在所述N型埋层上的P型外延层，

依次间隔设置在P型外延层表面上的第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区、第五有源区，设置在各有源区之间的场区，

从P型外延层上第一有源区、第五有源区的位置分别向下扩散至N型埋层的深N阱，所述深N阱与N型埋层相对通，在每一个深N阱中设有一个浅N阱，所述浅N阱内有N+注入扩散区，

P型外延层上第二有源区、第四有源区的位置分别设有浅P阱，浅P阱内有P+注入扩散区，所述P+注入扩散区为漏极，

P型外延层上第三有源区的位置设有背栅N阱区，背栅N阱区内有N+注入扩散区、P+注入扩散区，P+注入扩散区上表面覆盖有多晶硅，多晶硅延伸至相邻场区上表面，所述P+注入扩散区为源极，所述N+注入扩散区为背栅，

其特征在于：

浅P阱和背栅N阱区之间有P型注入层。

2.根据权利要求1所述的减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，其特征在于：场区上覆盖有场氧化层，场氧化层以及和有源区上覆盖至少一层氧化层，所述至少一层氧化层在深N阱、漏极、源极以及背栅处的相应位置被去除。

3.根据权利要求2所述的减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，其特征在于：所述场氧化层的厚度是4000～6000埃。

4.根据权利要求1或2或3所述的减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，其特征在于：第三有源区上表面覆盖有栅氧化层，栅氧化层上设有作为栅极的多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，其特征在于：所述栅氧化层的厚度是115～130埃。

6.根据权利要求5所述的减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，其特征在于：所述多晶硅层的厚度为2500～3500埃。

7.根据权利要求2所述的减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，其特征在于：所有场氧化层和有源区上面设有覆盖整个圆片表面的一层或多层氧化层，所述氧化层厚度是8000～10000 埃。