[发明专利]一种霍山石斛的快繁方法在审
申请号: | 201510005367.7 | 申请日: | 2015-01-06 |
公开(公告)号: | CN104542291A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 刘持正 | 申请(专利权)人: | 安徽霍山鹏泽生物科技有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 237200 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 霍山 石斛 方法 | ||
1.一种霍山石斛的快繁方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)采集石斛蒴果种子,不同种龄的种子萌发率不一样,种龄越长,萌发率越高,最好选择4-6月种龄的种子,必须注意要是未开裂的蒴果,种胚的颜色最好是黄色或白色;
(2)种子消毒:剪下选好的同一成熟度铁皮石斛蒴果,先用洗衣粉液浸泡10min后用自来水反复冲洗6次,再在超净工作台的无菌条件下,将经过预处理的蒴果用75%的酒精溶液灭菌30s,然后用1%的升汞水处理8-10min,最后用无菌水反复冲洗6次,放在消毒好的无菌滤纸上吸干果实表面水分;
(3)在无菌条件下将处理好的果荚用灭菌好的刀片切开一小口,用镊子将粉末状的种粒播于准备好的培养基A中,在无光照条件下培养30天,再放置到有光照组培室条件下培养45天,保持组培室温度在25℃;
(4)原球茎的增值及分化培养:将萌发的种子均匀播撒在培养基B中,培养60天,直至萌发的种子全部分化成1cm的幼芽;
(5)生根壮苗培养;采用的生根壮苗培养基为上述培养基C,将分化成幼芽的石斛幼苗一株株的接种到培养基C中,培养90至120天,幼苗会长粗变长,每株会长出3到4根根系,即成生命力强,生长健壮的石斛组培苗。
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的快繁方法,其特征在于,所述的A培养基是霍山石斛种子的萌发培养,A培养基的元素组成为:KNO3 2.5g/L 、CaCl2·2H2O 0.44g/L、MgSO4·7H2O 0.37g/L、KH2PO4 0.2 g/L、NH4NO3 1.5g/L、 KI 0.00083 g/L、H3BO3 0.0062g/L、 MnSO4·4H2O 0.0223g/L、ZnSO4·7H2O 0.008g/L、Na2MoO4·2H2O 0.00025 g/L、CuSO4·5H2O 0.000025 g/L、CoCl2·6H2O 0.000025 g/L、FeSO4·7H2O 0.0278 g/L、 Na2-EDTA·2H2O 0.0373 g/L、肌醇0.1 g/L、ⅣB 0.0005 g/L、维生素B6 0.0005 g/L、维生素B1 0.0001 g/L、甘氨酸0.002 g/L、AC 0.5g/L、 NAA 0.5mg/L。
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