[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成包括遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅线、公共电极线和栅极的图形；

形成层间绝缘薄膜，并利用第一光刻胶对所述层间绝缘薄膜图案化，形成源漏金属薄膜和第二光刻胶，通过所述第一光刻胶和第二光刻胶配合形成层间绝缘层、源极、漏极和数据线的图形；

形成包括有机绝缘层和公共电极的图形，并连接跨越栅线和公共电极线的数据线；

形成包括钝化层、像素电极的图形。

2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成层间绝缘薄膜，并利用第一光刻胶对所述层间绝缘薄膜图案化，形成源漏金属薄膜和第二光刻胶，通过所述第一光刻胶和第二光刻胶配合形成层间绝缘层、源极、漏极和数据线的图形的步骤具体包括：

依次形成层间绝缘薄膜和第一光刻胶，并对所述第一光刻胶进行曝光显影，去除源极、漏极和数据线对应区域的第一光刻胶，并且保留数据线跨越栅线和公共电极线区域的第一光刻胶，刻蚀暴露出的层间绝缘薄膜，以形成用于源极和漏极连接有源层的第一过孔，形成用于公共电极连接公共电极线的第二过孔，并形成容纳数据线的凹槽；

形成源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上形成第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行灰化，只保留源极、漏极、数据线和公共电极与公共电极线连接区域对应的第二光刻胶，刻蚀暴露出的源漏金属薄膜；

去除第二光刻胶和第一光刻胶，以形成所述层间绝缘层、源极、漏极、用于连接公共电极和公共电极线的连接件及数据线的图形。

3.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，形成包括有机绝缘层和公共电极的图形，并连接跨越栅线和公共电极线的数据线的步骤具体包括：

形成有机绝缘薄膜，并通过构图工艺在有机绝缘薄膜上对应数据线区域且分别跨越栅线和公共电极线的两端形成第三过孔，源极和漏极对应区域形成第四过孔，并在所述连接件对于区域形成第五过孔，以形成有机绝缘层的图形；

形成第一导电薄膜，通过构图工艺形成连接跨越栅线和公共电极线的数据线的第一连接桥的图形，所述第一连接桥通过所述第三过孔连接数据线，形成通过第四过孔连接第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的漏极的第二连接桥，且同时形成公共电极，所述公共电极通过第五过孔和所述连接件连接所述公共电极线。

4.如权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成包括钝化层、像素电极的图形的步骤包括：

形成钝化层薄膜，通过构图工艺形成钝化层的图形；

形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图形，所述像素电极通过第四过孔连接驱动薄膜晶体管的漏极。

5.如权利要求1～4中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述有源层为多晶硅有源层，形成多晶硅有源层的步骤包括：在所述缓冲层上形成非晶硅层，并退火为多晶硅、并对形成PMOS薄膜晶体管的有源层图形进行P型掺杂，对形成NMOS薄膜晶体管的有源层图形并进行N型掺杂及轻掺杂。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：形成在衬底基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、源极、漏极、栅线、层间绝缘层、有机绝缘层、数据线、公共电极线、公共电极、钝化层和像素电极的图形；

所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极形成薄膜晶体管，所述遮光层位于所述有源层对应的区域，缓冲层位于遮光层和所述薄膜晶体管之间，有机绝缘层位于薄膜晶体管和公共电极之间，钝化层位于像素电极和公共电极之间，栅极、栅线和公共电极线同层，层间绝缘层位于有机绝缘层和栅线之间，栅极连接栅线，源极连接数据线，漏极连接像素电极，公共电极连接公共电极线，

所述源极和漏极穿过层间绝缘层和栅绝缘层与所述有源层相连，数据线穿过层间绝缘层和栅绝缘层形成在缓冲层之上，且在跨越栅线和公共电极线处断开，通过与所述公共电极同层的电极相连。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为多晶硅有源层。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，与所述公共电极同层的电极通过穿过所述有机绝缘层的过孔连接跨越栅线和公共电极线的数据线。

9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极通过与源极和漏极同时形成的穿过层间绝缘层的连接件连接所述公共电极线。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求6～9中任一项所述的阵列基板。