[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

低温多晶硅(LTPS)材料由于具有极高的迁移率，可以作为高性能LCD、AMOLED显示设备的半导体材料，并且可以将CMOS电路集成在阵列基板上，实现窄边框和低功耗。但LTPS背板工艺难度较大，除了非晶硅退火均匀性控制、掺杂控制难度大之外，较多的掩膜次数也限制其应用。目前使用的LTPS HADS+Resin的掩膜次数为10次，分别为遮光层→低温多晶硅层→P doping→N doping→ILD→S/D→Resin→ITO1→PVX2→ITO2。上述工艺过程Mask次数过多，导致阵列基板工艺较复杂，成本较高，产率低，从而限制了LTPS技术的广泛使用。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何减少LTPS阵列基板的工艺中mask的次数。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括：

在衬底基板上形成包括遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅线、公共电极线和栅极的图形；

形成层间绝缘薄膜，并利用第一光刻胶对所述层间绝缘薄膜图案化，形成源漏金属薄膜和第二光刻胶，通过所述第一光刻胶和第二光 刻胶配合形成层间绝缘层、源极、漏极和数据线的图形；

形成包括有机绝缘层和公共电极的图形，并连接跨越栅线和公共电极线的数据线；

形成包括钝化层、像素电极的图形。

其中，所述形成层间绝缘薄膜，并利用第一光刻胶对所述层间绝缘薄膜图案化，形成源漏金属薄膜和第二光刻胶，通过所述第一光刻胶和第二光刻胶配合形成层间绝缘层、源极、漏极和数据线的图形的步骤具体包括：

依次形成层间绝缘薄膜和第一光刻胶，并对所述第一光刻胶进行曝光显影，去除源极、漏极和数据线对应区域的第一光刻胶，并且保留数据线跨越栅线和公共电极线区域的第一光刻胶，刻蚀暴露出的层间绝缘薄膜，以形成用于源极和漏极连接有源层的第一过孔，形成用于公共电极连接公共电极线的第二过孔，并形成容纳数据线的凹槽；

形成源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上形成第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行灰化，只保留源极、漏极、数据线和公共电极与公共电极线连接区域对应的第二光刻胶，刻蚀暴露出的源漏金属薄膜；

去除第二光刻胶和第一光刻胶，以形成所述层间绝缘层、源极、漏极、用于连接公共电极和公共电极线的连接件及数据线的图形。

其中，形成包括有机绝缘层和公共电极的图形，并连接跨越栅线和公共电极线的数据线的步骤具体包括：

形成有机绝缘薄膜，并通过构图工艺在有机绝缘薄膜上对应数据线区域且分别跨越栅线和公共电极线的两端形成第三过孔，源极和漏极对应区域形成第四过孔，并在所述连接件对于区域形成第五过孔，以形成有机绝缘层的图形；

形成第一导电薄膜，通过构图工艺形成连接跨越栅线和公共电极线的数据线的第一连接桥的图形，所述第一连接桥通过所述第三过孔 连接数据线，形成通过第四过孔连接第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的漏极的第二连接桥，且同时形成公共电极，所述公共电极通过第五过孔和所述连接件连接所述公共电极线。

其中，所述形成包括钝化层、像素电极的图形的步骤包括：

形成钝化层薄膜，通过构图工艺形成钝化层的图形；

形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图形，所述像素电极通过第四过孔连接驱动薄膜晶体管的漏极。

其中，所述有源层为多晶硅有源层，形成多晶硅有源层的步骤包括：在所述缓冲层上形成非晶硅层，并退火为多晶硅、并对形成PMOS薄膜晶体管的有源层图形进行P型掺杂，对形成NMOS薄膜晶体管的有源层图形并进行N型掺杂及轻掺杂。

本发明还提供了一种阵列基板，包括：形成在衬底基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、源极、漏极、栅线、层间绝缘层、有机绝缘层、数据线、公共电极线、公共电极、钝化层和像素电极的图形；

所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极形成薄膜晶体管，所述遮光层位于所述有源层对应的区域，缓冲层位于遮光层和所述薄膜晶体管之间，有机绝缘层位于薄膜晶体管和公共电极之间，钝化层位于像素电极和公共电极之间，栅极、栅线和公共电极线同层，层间绝缘层位于有机绝缘层和栅线之间，栅极连接栅线，源极连接数据线，漏极连接像素电极，公共电极连接公共电极线，