[发明专利]磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法

权利要求书

1.一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括依次相连的镀膜腔室、过渡室、缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室；

所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述过渡室、缓冲室和出口锁定室的设置温度均为200℃～550℃。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述过渡室的数量为1个或串联的2个～4个，每个所述过渡室的长度为0.9m～3.6m，所述缓冲室的长度为0.9m～3.6m，所述出口锁定室的长度为0.9m～3.6m，所述出口室的长度为0.9m～3.6m。

4.根据权利要求3所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述过渡室的数量为串联的2个或4个。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述磁控溅射镀膜设备的缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室每两个相邻的腔室之间通过一个控制门阀连接，每个所述控制门阀的开关控制了相邻两个腔室之间的连通和关闭。

6.一种ITO玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供玻璃基板；

使所述玻璃基板运行至权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备的镀膜腔室中，采用磁控溅射的镀膜方式在所述玻璃基板上制备ITO薄膜，其中，所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃；

将镀好ITO薄膜的所述玻璃基板依次通过所述过渡室、缓冲室、出口锁定室和出口室；以及

将从所述出口室出来的镀好ITO薄膜的所述玻璃基板通过所述骤冷室，得到所述ITO玻璃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m，镀好ITO薄膜的所述玻璃基板在所述骤冷室内的运行速度为0.2m/min～2.5m/min。

7.根据权利要求6所述的ITO玻璃的制备方法，其特征在于，所述过渡室、缓冲室和出口锁定室的设置温度为200℃～550℃。

8.根据权利要求6所述的ITO玻璃的制备方法，其特征在于，所述过渡室的数量为1个或串联的2个～4个，每个所述过渡室的长度为0.9m～3.6m，所述缓冲室的长度为0.9m～3.6m，所述出口锁定室的长度为0.9m～3.6m，所述出口室的长度为0.9m～3.6m，所述玻璃基板在所述过渡室、缓冲室、出口锁定室内以及出口室的运行速度为0.6m/min～2.5m/min。

9.根据权利要求8所述的ITO玻璃的制备方法，其特征在于，所述过渡室的数量为串联的2个或4个。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的ITO玻璃的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜设备的缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室每两个相邻的腔室之间通过一个控制门阀连接，每个所述控制门阀的开关控制了相邻两个腔室之间的连通和关闭，每个所述控制门阀的开启时间和关闭时间均为0.01s～0.2s。