[发明专利]磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法。

背景技术

ITO(氧化铟锡)为n型多晶态薄膜材料，是目前在平板显示、触控等方面应用最广的透明导电材料。无论是LCD、电阻式触摸屏还是电容式触摸屏，目前都大量采用ITO玻璃作为其透明导电基板。ITO玻璃包括玻璃基板及层叠于玻璃基板上的ITO薄膜。

目前ITO玻璃最常用的生产工艺为磁控溅射。无论是用于LCD、电阻屏、还是电容屏，由磁控溅射生产的ITO玻璃往往需要经过搬运、涂胶、固化、曝光、显影、脱膜、丝印、分切、贴合等一系列加工工序。如果ITO膜层的硬度值不够高，ITO玻璃在后续加工过程中同加工设备的某些部件相接触时，会在ITO膜层面造成或大或小或深或浅的划伤。划伤不仅影响生产良率、影响产品表观，还可能会引起ITO线条断线，引发功能性不良。如果划伤较浅而没有彻底划透ITO线条、或较短而仅仅造成ITO线条缺口时，在后续使用过程中可能会出现因持续通电工作而导致ITO线条被逐渐烧断的现象。此现象在产品销售到用户处、日后连续应用过程中才有可能会出现。若在用户使用过程中出现因ITO线条被烧断引发的功能性不良，可能会造成产品被退货，甚至被索赔的风险。

导致ITO玻璃在后续的加工过程中易产生或大或小或深或浅的划伤的一个原因在于ITO玻璃的硬度值不够高。如果能够制备硬度值较高的ITO玻璃，则在后续加工过程中ITO膜层被划伤的几率会相对减少，良率也会得到一定程度的提高、质量也更有保障。

发明内容

基于此，有必要提供一种磁控溅射镀膜设备，用于制备硬度较高的ITO玻璃。

进一步的，提供一种硬度更高的ITO玻璃的制备方法。

一种磁控溅射镀膜设备，包括依次相连的镀膜腔室、过渡室、缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室；

所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m。

在一个实施例中，所述过渡室、缓冲室和出口锁定室的设置温度均为200℃～550℃。

在一个实施例中，所述过渡室的数量为1个或串联的2个～4个，每个所述过渡室的长度为0.9m～3.6m，所述缓冲室的长度为0.9m～3.6m，所述出口锁定室的长度为0.9m～3.6m，所述出口室的长度为0.9m～3.6m。

在一个实施例中，所述过渡室的数量为串联的2个或4个。

在一个实施例中，所述磁控溅射镀膜设备的缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室每两个相邻的腔室之间通过一个控制门阀连接，每个所述控制门阀的开关控制了相邻两个腔室之间的连通和关闭。

一种ITO玻璃的制备方法，包括如下步骤：

提供玻璃基板；

使所述玻璃基板运行至权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备的镀膜腔室中，采用磁控溅射的镀膜方式在所述玻璃基板上制备ITO薄膜，其中，所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃；

将镀好ITO薄膜的所述玻璃基板依次通过所述过渡室、缓冲室、出口锁定室和出口室；以及

将从所述出口室出来的镀好ITO薄膜的所述玻璃基板通过所述骤冷室，得到所述ITO玻璃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m，镀好ITO薄膜的所述玻璃基板在所述骤冷室内的运行速度为0.2m/min～2.5m/min。

在一个实施例中，所述过渡室、缓冲室和出口锁定室的设置温度为200℃～550℃。

在一个实施例中，所述过渡室的数量为1个或串联的2个～4个，每个所述过渡室的长度为0.9m～3.6m，所述缓冲室的长度为0.9m～3.6m，所述出口锁定室的长度为0.9m～3.6m，所述出口室的长度为0.9m～3.6m，所述玻璃基板在所述过渡室、缓冲室、出口锁定室内以及出口室的运行速度为0.6m/min～2.5m/min。

在一个实施例中，所述过渡室的数量为串联的2个或4个。

在一个实施例中，所述磁控溅射镀膜设备的缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室每两个相邻的腔室之间通过一个控制门阀连接，每个所述控制门阀的开关控制了相邻两个腔室之间的连通和关闭，每个所述控制门阀的开启时间和关闭时间均为0.01s～0.2s。