[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成栅电极及透明的第一电极；

在所述基板上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅电极及第一电极；

在所述绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成介质层，并在对应所述半导体层的区域开设第一通孔、第二通孔，在所述第一通孔、第二通孔位置露出所述半导体层，在对应所述第一电极的区域开设第三通孔，以在所述第三通孔处露出所述第一电极；

在所述介质层上形成源电极、漏电极和第二电极，所述源电极及漏电极分别通过所述第一通孔及第二通孔与所述半导体层连接，所述第二电极通过所述第三通孔与所述第一电极连接以形成存储电容；

在所述介质层上形成透明的第三电极，所述第三电极与所述漏电极连接以形成像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成半导体层步骤，具体为：

在所述绝缘层上沉积一层非晶硅并得到多晶硅；

在所述多晶硅上覆盖一层光阻；

从所述基板上进行光照，以使所述光阻中没有被所述栅电极遮挡的部分曝光；

对所述光阻及所述多晶硅上的曝光部分进行蚀刻；

对所述多晶硅进行掺杂以形成对应所述第一通孔的第一掺杂区及对应所述第二通孔的第二掺杂区，以分别连接所述源电极及漏电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极连接栅极线。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极、源电极、漏电极及第二电极为金属电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极及第三电极为氧化铟锡ITO。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板和依次设置于所述基板上的第一电极层、绝缘层、半导体层、介质层及第二电极层；

其中，所述第一电极层包括栅电极及透明的第一电极；

所述第二电极层包括源电极、漏电极、第二电极及透明的第三电极；

在所述介质层上对应所述半导体层的区域设置有第一通孔及第二通孔以使所述半导体层分别与所述源电极及漏电极连接；

在所述介质层及绝缘层上对应所述第一电极的区域设置有第三通孔以使所述第一电极与所述第二电极连接形成存储电容；

所述第三电极与所述漏电极连接以形成像素电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层是通过对多晶硅掺杂制成，并形成第一掺杂区及第二掺杂区；

所述第一掺杂区及第二掺杂区分别对应所述第一通孔及第二通孔以连接所述源电极及漏电极。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极、源电极、漏电极及第二电极为金属电极；

所述栅电极连接栅极线。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极及第三电极为氧化铟锡ITO。

10.一种显示面板，包括彩膜基板、阵列基板以及所述彩膜基板、阵列基板之间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板是如权利要求6-9任一项所述的阵列基板。