[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；简称LTPS)薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可适用。

传统的底栅型LTPS像素层别结构很多，制作相对复杂，制作时需要使用更多数量的光罩，这极大的增加了生产成本。以传统的PMOS制程为例，往往至少需要使用9张光罩。

另外，传统的底栅LTPS像素中经常会使用一有机层，用于隔绝金属电极和透明电极，降低它们之间的寄生电容，有机层往往厚度较大，但这样会对制程的均一性提出了更高的要求，而且经常导致显示亮度不均匀的问题，降低了制程的良率。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，能够在阵列基板的制作过程中减少光罩的使用数量，减少工艺流程，降低成本。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：在基板上形成栅电极及透明的第一电极；在基板上形成绝缘层，绝缘层覆盖栅电极及第一电极；在绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成介质层，并在对应半导体层的区域开设第一通孔、第二通孔，在第一通孔、第二通孔位置露出半导体层，在对应第一电极的区域开设第三通孔，以在第三通孔处露出第一电极；在介质层上形成源电极、漏电极和第二电极，源电极及漏电极分别通过第一通孔及第二通孔与半导体层连接，第二电极通过第三通孔与第一电极连接以形成存储电容；在介质层上形成透明的第三电极，第三电极与漏电极连接以形成像素电极。

其中，在绝缘层上形成半导体层步骤，具体为：在绝缘层上沉积一层非晶硅并得到多晶硅；在多晶硅上覆盖一层光阻；从基板上进行光照，以使光阻中没有被栅电极遮挡的部分曝光；对光阻及多晶硅上的曝光部分进行蚀刻；对多晶硅进行掺杂以形成对应第一通孔的第一掺杂区及对应第二通孔的第二掺杂区，以分别连接源电极及漏电极。

其中，栅电极连接栅极线。

其中，栅电极、源电极、漏电极及第二电极为金属电极。

其中，第一电极及第三电极为氧化铟锡ITO。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括基板和依次设置于基板上的第一电极层、绝缘层、半导体层、介质层及第二电极层；其中，第一电极层包括栅电极及透明的第一电极；第二电极层包括源电极、漏电极、第二电极及透明的第三电极；在介质层上对应半导体层的区域设置有第一通孔及第二通孔以使半导体层分别与源电极及漏电极连接；在介质层及绝缘层上对应第一电极的区域设置有第三通孔以使第一电极与第二电极连接形成存储电容；第三电极与漏电极连接以形成像素电极。

其中，半导体层是通过对多晶硅掺杂制成，并形成第一掺杂区及第二掺杂区；第一掺杂区及第二掺杂区分别对应第一通孔及第二通孔以连接源电极及漏电极。

其中，栅电极、源电极、漏电极及第二电极为金属电极；栅电极连接栅极线。

其中，第一电极及第三电极为氧化铟锡ITO。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括彩膜基板、阵列基板以及所述彩膜基板、阵列基板之间的液晶层，其特征在于，阵列基板是上述的阵列基板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过将第一电极设置于基板上，避免了传统技术中，将第一电极设置于半导体层上时需要采用很厚的隔离层以使第一电极与源、漏电极隔开，而第三电极设置于第一电极也需要一层隔离层隔开时厚厚的隔离层造成的显示亮度不均匀的问题，显示效果提高，而且在制造过程中只需要七道光罩，比传统的技术中九道光罩减少了二道，使制作工艺简化，成本降低。

附图说明

图1是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式的流程图；

图2是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤101的结构示意图；

图3是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤102的结构示意图；

图4是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤103的结构示意图；

图5是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤104的结构示意图；