[发明专利]抗闩锁效应微处理器复位电路

权利要求书

1.一种抗闩锁效应微处理器复位电路，其特征在于：包括一阶复位电路、掉电检测电路和泄流通道，掉电检测电路和一阶复位电路之间通过光耦连接；

所述一阶复位电路由电阻和第一电容串接组成；

掉电检测电路由二极管、第二电容和光耦内部的发光二极管组成，二极管的阳极以及发光二极管的阴极分别与电源相连，第二电容的正极、二极管的阴极分别与发光二极管的阳极相连，第二电容的负极接地；

泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的元件组成；所述元件为第一电容或电阻。

2.根据权利要求1所述的抗闩锁效应微处理器复位电路，其特征在于：当泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的第一电容组成时，光敏三极管的集电极和第一电容的正极相连，光敏三极管的发射极接地；一阶复位电路中电阻的一端与电源相连，电阻的另一端与第一电容的正极相连，第一电容的负极接地；一阶复位电路形成一阶积分复位电路，适用于低电平复位微处理器。

3.根据权利要求1所述的抗闩锁效应微处理器复位电路，其特征在于：当泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的电阻组成时，光敏三极管的发射极接地；一阶复位电路中第一电容的正极与电源相连，第一电容的负极与电阻一端连接，并和光敏三极管集电极相连，电阻另一端接地；一阶复位电路形成一阶微分复位电路，适用于高电平复位微处理器。