[发明专利]有界波环境下电子设备电磁环境效应实验方法有效
申请号: | 201510020231.3 | 申请日: | 2015-01-14 |
公开(公告)号: | CN104597346A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 陈亚洲;程二威;周星;田庆民;潘晓东;闫云斌 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军军械工程学院 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 李荣文 |
地址: | 050003 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有界波 环境 电子设备 电磁 环境效应 实验 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电磁干扰测试方法技术领域,尤其涉及一种有界波环境下电子设备电磁环境效应实验方法。
背景技术
有界波模拟器又称平行板传输线式横电磁波室(PPTC),是上世纪60年代出现的一种广泛应用于电磁兼容/电磁干扰(EMC/EMI)的实验装置,当把连续波或脉冲波信号源施加在模拟器的一端,另一端接上负载时,模拟器内部就建立起垂直极化电场,可供各种效应实验之用。俄罗斯国防部自70年代中期以来建成了许多超大规模的有界波模拟器。SEMP-12-1和SEMP-12-3有界波模拟器建在圣彼得堡附近的科学研究中心,IEMP-6有界波模拟器建在莫斯科附近Sergiev Posad的物理技术中心研究所 (CIPT)。建在圣彼得堡附近的有界波模拟器SEMP-12-1用于源区核电磁脉冲环境(SREMP)的模拟,SEMP-12-3用于高空核电磁脉冲环境(HEMP)的模拟。20世纪80年代以来,这种类型的有界波模拟器风行欧洲,法国于70年代末期为了测试战略导弹而建立了SIEM-2型有界波模拟器,随后德国、瑞士、意大利、以色列以及波兰等都建立了几何结构类似于SIEM-2的有界波模拟器。如:德国的DIESES模拟器、瑞典的SAPIENS模拟器、意大利的INSIEME模拟器、以色列的RAFAEL模拟器、瑞士的VEPES模拟器等。国内在有界波模拟器方面也进行了比较深入地研究,西北核技术研究所建立了一台工作空间为6m×5m×5m的“春雷号”有界波模拟器,航天部北京电子系统工程研究所建成了DM-1200有界波模拟器,中国人民解放军军械工程学院建成了工作空间为20m×60m×6m的大型有界波模拟器,能够产生强场电磁环境,最大脉冲场强高于100kV/m,能够满足对较大电子系统或分系统进行电磁环境效应试验、生存能力评估和电磁防护加固技术研究的需要。
我国于2006年首次提出了对电子设备系统级电磁环境效应的接口要求,对确保我国电子设备在复杂电磁环境下能够正常工作有很大的促进作用。然而国内的电子设备系统级电磁环境效应研究刚刚起步,尚未形成系统的、可靠的理论和方法。国内研究的现状是目前仅有试验要求,没有合适的试验方法来确保系统级电磁环境效应的规范性和合理性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有界波环境下电子设备电磁环境效应实验方法,所述实验方法确保了电子设备系统级电磁环境效应测试的规范性和合理性,提高了电子设备电磁环境效应测试的准确性。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种有界波环境下电子设备电磁环境效应实验方法,其特征在于所述实验方法包括以下步骤:
(1)将被测试的电子设备放置在有界波模拟器内的试验台上,示波器放置在有界波模拟器外,示波器通过同轴电缆与被测试电子设备的信号输出端连接;
(2)按照电磁强度由低到高将有界波模拟器的内部分为若干个区域,分别为测试一区、测试二区、测试三区…依次类推;
(3)首先将被测试的电子设备放置在测试一区内,将测试一区作为起始测试区域,使其与地面平行,控制有界波模拟器以一定电场强度辐照若干次,通过示波器记录每次的辐照波形和电磁环境效应现象,按照电磁强度由低到高改变被测试电子设备所在的测试区域,直到电子设备出现电磁环境效应为止,如无电磁环境效应则进入步骤(4);
(4)将测试一区作为起始测试区域,改变电子设备与地面水平夹角,控制有界波模拟器以一定电场强度辐照若干次,通过示波器记录每次的辐照波形和电磁环境效应现象,按照电磁强度由低到高改变被测试电子设备所在的测试区域,直到电子设备出现电磁环境效应为止,如无电磁环境效应,则进入步骤(5);
(5)将测试二区作为起始测试区域,重复步骤(3)和步骤(4)中的测试步骤,直到电子设备出现电磁环境效应为止,如无电磁环境效应,则进入步骤(6);
(6)将测试三区作为起始测试区域,重复步骤(3)和步骤(4)中的测试步骤,直到电子设备出现电磁环境效应为止,如无电磁环境效应,则进入步骤(7);
(7)依次类推,将测试n区作为起始测试区域,重复步骤(3)和步骤(4)中的测试步骤,直到电子设备出现电磁环境效应为止,n为大于3的自然数。
进一步的技术方案在于:所述步骤(3)和步骤(4)中辐照次数为3次。
进一步的技术方案在于:所述步骤(4)中改变电子设备与地面水平夹角分别为10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°。
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