[发明专利]一种石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种紫外探测器及其制造方法，尤其是石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器及其制造方法，属于光电探测技术领域。

背景技术

紫外探测技术是一种广泛应用的军民两用技术，它既可以用于火焰监测、太阳辐射测量、紫外光源控制和电弧探测等民用方面，也可以用于紫外报警，紫外通讯、紫外制导和紫外干扰等领域。目前广泛应用的紫外探测器是光电倍增管，虽然其探测灵敏度高，但体积大、功耗高并且设备昂贵。另一方面，随着集成光电子技术的发展，人们迫切需要开发体积小，低功耗，高集成度的紫外探测器。

石墨烯自2004年被发现以来，便以其高载流子迁移率，高可见光透射率、高电导率、高热导率及高杨氏模量等性质引起了人们的极大关注。这些独特的电学和光学性质使石墨烯在光电子领域有着极大的应用潜力。目前，已有研究者利用石墨烯制备出超快光电探测器，但由于石墨烯对可见光吸收只有2.3%，因此制得的探测器响应度不高。与此同时，氧化锌作为一种宽禁带直接带隙半导体，禁带宽度（3.3eV）与目前商用紫外探测器采用的GaN材料的禁带宽度（3.37eV）相近。但ZnO相比GaN其储量高，价格低廉。基于石墨烯与氧化锌肖特基结的紫外探测器已经被制备出来，但器件的漏电流较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种响应度高，制备工艺简单的石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器及其制备方法。

本发明的石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器，自下而上依次有背面电极、氧化锌层、氮化硼层、石墨烯层和正面电极。

上述的紫外探测器中，所述的氧化锌层可以为p型或者n型掺杂的氧化锌。

所述的氮化硼层中的氮化硼通常为1-20层。

所述的石墨烯层中的石墨烯通常为1-10层。

所述的背面电极可以是金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或者几种的复合电极。

所述的正面电极可以是金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或者几种的复合电极。

制备上述的石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在洁净的n型或p型掺杂氧化锌的一面制作背面电极；

2）将原子层为1-20层的氮化硼转移至上述洁净的n型或p型掺杂氧化锌的另一面上；

3）将原子层数为1-10层的石墨烯转移至步骤2）所得的氮化硼层上；

4）在上述石墨烯层上制作正面电极。

本发明与背景技术相比具有的有益效果是：本发明采用石墨烯/氮化硼/氧化锌三层特殊结构，获得的紫外探测器体积小，具有较高的紫外响应度，此外，采用在石墨烯与氧化锌之间引入六方氮化硼绝缘层，可以有效的减小器件的漏电流，本发明的方法工艺简单，成本较低。

附图说明：

图1为石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器结构示意图；

图2为石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器的暗态IV曲线图；

图3为石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器在紫外光照下的IV曲线图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本发明做进一步说明。

参照图1，本发明的石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器自下而上依次有背面电极1、氧化锌层2、氮化硼层3、石墨烯层4和正面电极5。

实施例1：

1）在洁净的p型掺杂的ZnO体单晶一面利用电子束蒸发法沉积金电极；

2）将得到的样品依次浸入去离子水、丙酮和异丙醇中进行表面清洗，以去除制备电极过程中ZnO表面的沾污；

3）将7层氮化硼转移至上述清洗干净的氧化锌单晶片的另一面上；

4）将单层石墨烯转移至上述氮化硼层上；

5）在石墨烯上利用热蒸发工艺沉积银电极，得到石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器。

本例制得的紫外探测器在暗态和紫外光照下的IV曲线图分别如图2、图3所示，可以看出，在无紫外光照情况下，反偏电流较小，而在紫外光照情况下，反偏电流获得3个数量级的增加，因此当器件在反偏工作条件下可以获得非常优异的紫外探测性能。

实施例2：

1）在洁净的n型掺杂的ZnO体单晶片的一面利用电子束蒸发法沉积钯电极；

2）将得到的样品依次浸入去离子水，丙酮和异丙醇中进行表面清洗，以去除制备电极过程中ZnO表面的沾污；

3）将14层氮化硼转移至上述经过清洗干净的氧化锌单晶片的另一面上；

4）将2层石墨烯转移至上述的氮化硼层上；