[发明专利]半导体层、半导体器件、阵列基板和显示装置的制备方法

权利要求书

1.一种半导体层的制备方法，其特征在于，包括：

形成渗碳层，所述渗碳层包括空白区域和溶解区域，所述空白区域对应于形成半导体层的图形区域，所述溶解区域对应于所述图形区域之外的其它区域；

在所述渗碳层之上形成半导体层薄膜，所述半导体层薄膜的构成材料包括碳基半导体材料，以使位于所述空白区域之上的半导体层薄膜形成半导体层，位于所述溶解区域之上的半导体层薄膜溶解入所述渗碳层；

去除所述渗碳层。

2.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述形成渗碳层的步骤包括：

形成渗碳层薄膜；

在所述渗碳层薄膜上涂敷光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域对应于形成溶解区域的图形区域，所述光刻胶去除区域对应于形成空白区域的图形区域；

对所述渗碳层薄膜进行刻蚀以形成渗碳层；

去除剩余的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述形成渗碳层的步骤包括：

形成渗碳层薄膜；

在所述渗碳层薄膜上涂敷光刻胶，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应于形成溶解区域的图形区域，所述光刻胶半保留区域对应于形成空白区域的图形区域；

对所述渗碳层薄膜进行刻蚀以形成渗碳层；

去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述渗碳层的构成材料包括金属铁、镍、钴和铬中至少一个；所述空白区域留存有厚度为1-100纳米的渗碳层薄膜。

5.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述碳基半导体材料包括石墨烯或碳纳米管。

6.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述渗碳层的构成材料包括金属铁、镍、钴和铬中至少一个。

7.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述渗碳层的构成材料包括对碳元素具有溶解性能的有机物。

8.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述去除所述渗碳层的步骤之前包括：

将所述渗碳层和所述半导体层薄膜置于高温环境中。

9.根据权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述去除所述渗碳层的步骤之后包括：

对所述半导体层进行退火处理。

10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的半导体层的制备方法。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括薄膜晶体管、传感器或太阳能电池。

12.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的半导体层的制备方法。

13.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括权利要求12所述的阵列基板的制备方法。