[发明专利]SARADC的采样保持电路有效

专利信息
申请号: 201510024563.9 申请日: 2015-01-19
公开(公告)号: CN104617955B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 张斌;唐成伟;张东升 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: sar adc 采样 保持 电路
【权利要求书】:

1.一种SAR ADC的采样保持电路,其特征在于,采样保持电路的每一通道包括:

采样电容阵列,所述采样电容阵列由多个重复排列的采样电容单元组成,各所述采样电容单元都包括一个采样电容以及和该采样电容的下极板连接的第一开关和第二开关;

所述采样电容的上极板连接到比较器的反相输入端,所述比较器的正相输入端接地;

第三开关连接在所述采样电容的上极板和所述比较器的输出端之间;

第四开关和第一开关依次连接在正参考电压和所述采样电容的下极板之间;

第五开关和第二开关依次连接在负参考电压和所述采样电容的下极板之间;

输入模拟信号通过第六开关连接到所述第四开关和所述第一开关的连接点,所述输入模拟信号通过第七开关连接到所述第五开关和所述第二开关的连接点;

采样期间,所述第六开关、所述第七开关、所述第一开关和所述第二开关闭合使所述输入模拟信号连接到所述采样电容的下极板,所述第三开关闭合使所述采样电容的上极板接虚地,所述第四开关和所述第五开关打开;

量化期间,所述第四开关和所述第五开关闭合,所述第三开关、所述第六开关和所述第七开关打开,所述第一开关和所述第二开关由SAR逻辑控制信号控制闭合或打开。

2.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述第四开关为CMOS开关。

3.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述第一开关为PMOS开关。

4.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述第五开关为NMOS开关。

5.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述第二开关为NMOS开关。

6.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述第六开关为PMOS开关。

7.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述第七开关为NMOS开关。

8.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:所述比较器的输出端连接到逐次逼近寄存器。

9.如权利要求1所述的SAR ADC的采样保持电路,其特征在于:各所述采样电容单元的采样电容的大小不同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510024563.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top