[发明专利]阵列基板有效
申请号: | 201510025438.X | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN104538409B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 郑和宜;黄馨谆;郑景升 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,赵根喜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 | ||
1.一种阵列基板,包括:
一基底;
多条栅极线,设置于该基底上并实质上分别沿一第一方向延伸;
多条第一数据线与多条第二数据线,设置于该基底上并实质上分别沿一第二方向延伸,其中该多条第一数据线与该多条第二数据线沿该第一方向上依序交替排列,各该第一数据线具有多条第一数据线段,分别设置于两相邻的该多条栅极线之间,且各该第二数据线具有多条第二数据线段,分别设置于两相邻的该多条栅极线之间;
多个第一薄膜晶体管,设置于该基底上,其中各该第一薄膜晶体管包括:
一第一栅极,连接于对应的该栅极线;
一第一源极,连接于对应的两相邻的该多条第一数据线段之间并与对应的该第一栅极至少部分重叠;以及
一第一漏极;以及
多个第二薄膜晶体管,设置于该基底上,其中各该第二薄膜晶体管包括:
一第二栅极,连接于对应的该栅极线;
一第二源极,连接于对应的两相邻的该多条第二数据线段之间并与对应的该第二栅极至少部分重叠;以及
一第二漏极;
其中在该第一方向上依序排列的该第一数据线段、该第二数据线段以及下一个该第一数据线段依序定义出一第一间距以及一第二间距,该第二间距大于该第一间距,分别对应上述依序排列的该第一数据线段、该第二数据线段以及下一个该第一数据线段而在该第一方向上依序排列的该第一源极、该第二源极及下一个该第一源极依序定义出一第三间距及一第四间距,该第三间距大于该第一间距,且该第四间距小于该第二间距。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中该多个第一源极与该多个第二源极具有不同的图案。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中各该第一源极具有一第一边缘面对相对应的该第一漏极,以及一第二边缘背对相对应的该第一漏极,该第一边缘沿相反于该第一方向的一第三方向凹陷而形成一凹陷部,且该第二边缘沿该第三方向突出而形成一突出部。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中各该第二源极具有一第三边缘面对相对应的该第二漏极,以及一第四边缘背对相对应的该第二漏极,该第三边缘沿该第一方向突出而形成一突出部,且该第四边缘沿该第一方向凹陷而形成一凹陷部。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中各该第一源极具有一第一边缘面对相对应的该第一漏极,以及一第二边缘背对相对应的该第一漏极,该第一边缘沿相反于该第一方向的一第三方向凹陷而形成一第一凹陷部,该第二边缘沿该第三方向突出而形成一第一突出部,各该第二源极具有一第三边缘面对相对应的该第二漏极,以及一第四边缘背对相对应的该第二漏极,该第三边缘沿该第一方向突出而形成一第二突出部,且该第四边缘沿该第一方向凹陷而形成一第二凹陷部。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,另包括:
多个第一像素电极,分别与该多个第一漏极电性连接;以及
多个第二像素电极,分别与该多个第二漏极电性连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中该第一间距与该第二间距之和实质上等于该第三间距与该第四间距之和。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的