[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法无效
申请号: | 201510027639.3 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN104821324A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 大石周 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于,
具备:
半导体层,以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件;
绝缘膜,形成在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面;
电极,形成在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面,且将各上述光电变换元件的受光区域包围;以及
电压施加部,向上述电极施加规定的电压。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
在上述绝缘膜的上述表面具有绝缘层,上述电极设置在上述绝缘层的内部。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
在上述绝缘膜的上述表面具有滤色器,上述电极设置在上述滤色器的内部。
4.如权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于,
上述电极形成为,非连续地包围上述各光电变换元件的受光区域。
5.一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于,
包括:
形成半导体层的工序,该半导体层以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件;
在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面形成绝缘膜的工序;
在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面,以将各上述光电变换元件的受光区域包围的方式形成电极的工序;以及
形成向上述电极施加规定的电压的电压施加部的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的