[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201510027639.3 申请日: 2015-01-20
公开(公告)号: CN104821324A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 大石周 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种固体摄像装置,其特征在于,

具备:

半导体层,以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件;

绝缘膜,形成在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面;

电极,形成在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面,且将各上述光电变换元件的受光区域包围;以及

电压施加部,向上述电极施加规定的电压。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,

在上述绝缘膜的上述表面具有绝缘层,上述电极设置在上述绝缘层的内部。

3.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,

在上述绝缘膜的上述表面具有滤色器,上述电极设置在上述滤色器的内部。

4.如权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于,

上述电极形成为,非连续地包围上述各光电变换元件的受光区域。

5.一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于,

包括:

形成半导体层的工序,该半导体层以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件;

在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面形成绝缘膜的工序;

在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面,以将各上述光电变换元件的受光区域包围的方式形成电极的工序;以及

形成向上述电极施加规定的电压的电压施加部的工序。

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