[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法

说明书

相关申请的参照

本申请主张2014年1月31日申请的日本专利申请第2014－017936号的优先权，在本申请中引用该日本专利申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。

背景技术

以往，在数码摄像机或带摄像机功能的便携终端等中设置的摄像机模块具备固体摄像装置。固体摄像装置具备与摄像像素的各像素对应地二维配置为矩阵状的多个光电变换元件。各光电变换元件将入射光向与受光量相应的量的电荷进行光电变换，并积累表示各像素的亮度的信号电荷。

此外，在各光电变换元件之间，设有将光电变换元件彼此电气性地进行元件分离的元件分离区域。该元件分离区域通常利用DTI(Deep Trench Isolation，深沟槽隔离)的元件分离技术而形成。

根据DTI，例如，通过RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)，在形成了多个光电变换元件的半导体层，形成将各光电变换元件包围的格子状的沟槽(槽)，并在沟槽内埋入绝缘部件等从而进行元件分离。

因此，有时沟槽的表面因RIE而受损从而产生晶体缺陷，产生悬挂键(dangling-bond)。因悬挂键产生的电子由于与向光电变换元件入射的光的有无无关地产生，所以成为所谓的暗电流而被从光电变换元件读出，成为在摄像图像中出现的白缺陷(white defect)的原因。

发明内容

本发明要解决的课题在于，提供能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。

一个实施方式的固体摄像装置，其特征在于，具备：半导体层，以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件；绝缘膜，形成在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面；电极，形成在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面，并将各上述光电变换元件的受光区域包围；以及电压施加部，向上述电极施加规定的电压。

另一实施方式的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：形成半导体层的工序，该半导体层以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件；在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面形成绝缘膜的工序；在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面，以将各上述光电变换元件的受光区域包围的方式形成电极的工序；以及形成向上述电极施加规定的电压的电压施加部的工序。

发明效果：

根据上述结构的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法，能够抑制暗电流的发生。

附图说明

图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置的数码摄像机的概略结构的框图。

图2是表示第一实施方式的固体摄像装置的概略结构的框图。

图3是示意性地表示第一实施方式的像素阵列的剖面的说明图。

图4是表示第一实施方式的电极的俯视形状的说明图。

图5是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。

图6是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。

图7是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。

图8是表示第二实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。

图9是表示第二实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。

图10是表示第三实施方式的其他形状的电极的俯视形状的说明图。

图11是第四实施方式的将电极设置在滤色器的内部的情况下的像素阵列的剖视下的说明图。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明实施方式的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。另外，并不通过这些实施方式限定本发明。

(第一实施方式)

图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置14的数码摄像机1的概略结构的框图。如图1所示，数码摄像机1具备摄像机模块11和后级处理部12。

摄像机模块11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系统13取入来自被摄体的光，使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像，将通过摄像得到的图像信号向后级处理部12输出。除了数码摄像机1以外，该摄像机模块11例如还适用于带摄像机的便携终端等电子设备。