[发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法

权利要求书

1.一种III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为所述p型氮化物半导体层的上表面；

沉积电流阻挡层在所述p型氮化物半导体层上，并利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图案，再蚀刻电流阻挡层、后去除光阻，得到电流阻挡层；

沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体层及电流阻挡层上，并利用黄光蚀刻制程定义所述透明导电层图案，再蚀刻透明导电层、最后去除光阻，得到透明导电层；

利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，再蚀刻p型氮化物半导体层和有源层，而暴露n型氮化物半导体层，最后去除光阻，得到凸台，且凸台的上表面有电流阻挡层及透明导电层；

沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光蚀刻制程定义要参于电流分布的图案，再蚀刻绝缘层，最后去除光阻；

黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案，同时沉积P型电极、N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述N型电极包括：N型线电极与N型焊盘，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层被部分蚀刻掉，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上、所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层上；所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上、所述N型线电极沉积于所述绝缘层上；所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上、所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层及绝缘层之间；所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述P型电极包括：P型焊盘与P型线电极，所述P型电极沉积在所述凸台上，所述N型焊盘与所述P型焊盘之间的高度差低于或等于300nm；

最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。

2.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，

所述P型焊盘沉积于所述绝缘层上；

所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、或沉积于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分沉积于所述绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，

所述P型焊盘沉积于所述透明导电层上；

所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、或沉积于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分沉积于所述绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，

所述P型焊盘沉积于所述绝缘层及透明导电层之间；

所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、沉积于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分沉积于所述绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述P型焊盘、N型焊盘结构相同，进一步地，

所述P型焊盘、N型焊盘、P型线电极和N型线电极为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、Ti层、Pt层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、Ti层、Pt层、Ti层、Pt层、Ti层、Pt层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Cr层、Al层、中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Cr层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成。

6.根据权利要求5所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述P型焊盘、N型焊盘、P型线电极和N型线电极的结构，进一步为，所述第一Ni层的厚度为0.4～3nm，Al层的厚度为50～300nm，中间Cr层的厚度为10～300nm，第二Ni层的厚度为10～300nm，Au层的厚度为200～3000nm，Pt层的厚度为10～300nm，Ti层的厚度为10～300nm，第一Cr层的厚度为0.4～5nm。

7.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘层，为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅或氮化硅中的一种或两种以上制成的绝缘层。