[发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体照明技术领域，具体地说，是涉及一种III族半导体发光器件的制作方法。

背景技术

氮化镓基发光二极管的发光效率近些年得到了很大程度上的提高，但外部量子效率、电流分布均匀性已经成为制约发光二极管性能进一步提高的主要技术瓶颈。现有技术中蓝宝石衬底上氮化镓基发光二极管会因其P/N型电极均沉积于衬底同一则，其P型电极、N型电极一般包括线接合焊盘以及线电极，由于N型电极的线接合焊盘要用来焊接金球(金球直径一般为75um)，因此N型电极线接合焊盘尺寸设计的较大，这样就导致有源层蚀刻面积过大。

为了解决蓝宝石衬底上氮化镓基发光二极管存在有源层蚀刻面积过大问题，目前解决方法如下：

1、由激光剥离技术将衬底与氮化物半导体层相剥离而制造垂直式发光器件，虽然垂直结构发光二极管技术解决了传统蓝宝石衬底上氮化镓基发光二极管存在的问题，如散热、有源层蚀刻面积过大、电流分布均匀性等问题，但是衬底剥离工艺复杂，成本高昂且良率过低。

2、通过在蓝宝石衬底里形成多个蓝宝石孔，蓝宝石衬底孔壁和底部沉积一种N型半导体金属，并且每个孔被填满另一种金属以形成一个N型电极触点进而形成垂直结构发光二极管。但是此方案存在蓝宝石钻多个孔工艺复杂，成本高昂并且工艺可靠性较低等问题。

发明内容

为了解决在上述现有技术中出现的问题，本发明的目的是提供一种III族半导体发光器件的制作方法，以解决有源层蚀刻过多的问题，增加有源层从而改善光电特性，并通过提供的新结构让电流分布更均匀。

本发明提供了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括以下步骤：

衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为所述p型氮化物半导体层的上表面；

沉积电流阻挡层在所述p型氮化物半导体层上，并利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图案，再蚀刻电流阻挡层、后去除光阻，得到电流阻挡层；

沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体层及电流阻挡层上，并利用黄光蚀刻制程定义所述透明导电层图案，再蚀刻透明导电层、最后去除光阻，得到透明导电层；

利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，再蚀刻p型氮化物半导体层和有源层，而暴露n型氮化物半导体层，最后去除光阻，得到凸台，且凸台的上表面有电流阻挡层及透明导电层；

沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光蚀刻制程定义要参于电流分布的图案，再蚀刻绝缘层，最后去除光阻；

黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案，同时沉积P型电极、N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述N型电极包括：N型线电极与N型焊盘，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层被部分蚀刻掉，所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述P型电极包括：P型焊盘与P型线电极，所述P型电极沉积在所述凸台上；

最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。

优选地，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上；所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层上。

优选地，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上；所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层及绝缘层之间。

优选地，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上；所述N型线电极沉积于所述绝缘层上。

优选地，所述P型焊盘沉积于所述绝缘层上；所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、或沉积于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分沉积于所述绝缘层上。

优选地，所述P型焊盘沉积于所述透明导电层上；所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、或沉积于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分沉积于所述绝缘层上。

优选地，所述P型焊盘沉积于所述绝缘层及透明导电层之间；所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、沉积于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分沉积于所述绝缘层上。

优选地，所述P型焊盘、N型焊盘结构相同，进一步地，