[发明专利]元件的制造方法

权利要求书

1.一种元件的制造方法，包括：

提供一第一基底，包括多个第一芯片，所述多个第一芯片间是以一第一切割线区域分隔，其中该第一基底上至少形成一第一结构层；

以黄光光刻和蚀刻工艺移除该第一切割线区域中的部分该第一结构层，形成多个第一开口及暴露该第一基底，其中所述多个第一开口分别具有一平坦底面，该平坦底面与该第一基底的一顶面具有相同的水平；

提供一第二基底，包括多个第二芯片，所述多个第二芯片间是以一第二切割线区域分隔，其中该第二基底上至少形成一第二结构层；

以黄光光刻和蚀刻工艺移除该第二切割线区域中的部分该第二结构层，形成多个第二开口及暴露该第二基底，其中所述多个第二开口分别具有一平坦底面，该平坦底面与该第二基底的一顶面具有相同的水平；

接合该第一结构层和该第二结构层，形成一堆叠结构，其中该第一切割线区域对齐该第二切割线区域，所述多个第一开口对齐所述多个第二开口，且所述多个第一开口和所述多个第二开口共同形成该堆叠结构的多个凹穴；以及

沿着该第一切割线区域和该第二切割线区域，以穿过所述多个凹穴的方式，以激光束照射的方式切割该堆叠结构，

其中所述多个凹穴仅邻近所述多个第一芯片和所述多个第二芯片的边角。

2.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中以该黄光光刻和蚀刻工艺移除该第一切割线区域中的部分该第一结构层，形成所述多个第一开口的步骤包括：

形成光致抗蚀剂层于该第一基底上；

以光刻工艺定义该光致抗蚀剂层，形成光致抗蚀剂图案；以及

以该光致抗蚀剂图案为掩模，蚀刻该第一结构层，形成所述多个第一开口。

3.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中所述元件位于该第一芯片和该第二芯片中。

4.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中所述至少一第一结构层和所述至少一第二结构层包括介电层和导电层。

5.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中所述多个第一开口和所述多个第二开口是十字形。

6.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中该第一基底于该第一切割线区域中还包括多个测试键，且以该黄光光刻和蚀刻工艺移除该第一切割线区域中的部分第一结构层，形成所述多个第一开口的步骤将所述多个测试键移除。

7.如权利要求6所述的元件的制造方法，其中所述多个第一开口对应所述多个测试键的位置。

8.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中沿着该第一切割线区域和该第二切割区域，以穿过所述多个凹穴的方式，切割该堆叠结构的步骤在切割过程中，不产生或产生较少的剥离、崩缺或脱层。

9.如权利要求1所述的元件的制造方法，其中在切割该堆叠结构的过程中不影响该第一结构层和该第二结构层。