[发明专利]一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置及方法

权利要求书

1.一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置，其特征在于：包括激光输出模块(1)、微透镜(2)、移动台(4)和控制模块(5)，其中：

激光输出模块(1)：在控制模块(5)的控制下，产生固定输出功率和时间间隔的单束激光束；

微透镜(2)：将激光输出模块(1)产生的单束激光束形成阵列激光束照射到微波器件(3)的表面形成小孔；

移动台(4)：承载微波器件(3)，并在控制模块(5)的控制下进行横向和纵向移动，使得微波器件(3)的表面均能被阵列激光束照射形成阵列织构；

控制模块(5)：控制激光输出模块(1)输出激光的功率和时间间隔，控制移动台(4)的横向移动和纵向移动，其中：

横向移动间距＝M×Sx；

横向移动次数＝[L/(M×Sx)]+1；

纵向移动间距＝N×Sy；

纵向移动次数＝[W/(N×Sy)]+1；

Sx为小孔横向间距，Sy为小孔纵向间距，L为微波器件的横向长度，W为微波器件的纵向宽度，M为阵列激光束的横向数目，N为阵列激光束的纵向数目。

2.根据权利要求1所述的一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置，其特征在于：所述的阵列织构为矩形等距阵列或三角等距阵列。

3.根据权利要求1或2所述的一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置，其特征在于：所述的阵列织构中各小孔的孔距5～25um，孔径5～25um，深宽比为2～0.3。

4.根据权利要求1或2所述的一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置，其特征在于：所述的单束激光束为飞秒激光或纳米激光。

5.一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工方法，其特征在于包括如下步骤：

1)将微波器件(3)放置在移动台(4)的顶面上；

2)利用激光输出模块(1)产生固定输出功率和时间间隔的激光束，并利用微透镜(2)将激光输出模块(1)产生的激光束形成阵列激光束照射到微波器件(3)的表面形成小孔；

3)控制移动台(4)的移动间距和移动时间，完成在微波器件(3)表面的阵列织构处理，其中：

横向移动间距＝M×Sx；

横向移动次数＝[L/(M×Sx)]+1；

纵向移动间距＝N×Sy；

纵向移动次数＝[W/(N×Sy)]+1；

Sx为小孔横向间距，Sy为小孔纵向间距，L为微波器件的横向长度，W为微波器件的纵向宽度，M为阵列激光束的横向数目，N为阵列激光束的纵向数目。

6.根据权利要求5所述的一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工方法，其特征在于：所述的阵列织构为矩形等距阵列或三角等距阵列。

7.根据权利要求5或6所述的一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工方法，其特征在于：所述的阵列织构中各小孔的孔距5～25um，孔径5～25um，深宽比为2～0.3。

8.根据权利要求5或6所述的一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工方法，其特征在于：所述的激光输出模块(1)产生的激光束为飞秒激光或纳米激光。