[发明专利]一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微波器件表面加工装置及方法，特别是一种能够抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置及加工方法。

背景技术

大功率微波器件在进行微波信号的传输过程中，微波场中存在的电子会在微波谐振作用下轰击器件表面，激发大量的二次电子，形成微放电效应，对微波传输性能和器件本身产生严重损害。

为提高器件表面二次电子发射的抑制性能，现有微波器件表面主要进行镀镍、镀金、导电氧化等表面处理，通过覆盖低二次电子发射系数材料的方式来降低原有材料表面二次电子发射能力。受到金、镍和微波器件自身材料性能的限制，这类方法降低二次电子发射系数的能力有限，不能低于镀覆材料自身阈值。另一类方法通过在器件表面加工形成三角、矩形凸起或凹槽的方法改变器件表面形貌，增强器件表面二次电子的抑制作用。这类方法也有一定的作用，与不进行处理的原始材料表面相比，器件表面二次电子发射系数有一定程度的下降。但从试验结果来看，三角、矩形凸起或凹槽的表面处理方法仍不能达到理想效果，材料表面二次电子系数仍远大于安全阈值，使微波器件仍具有较大的微放电风险，不能满足微波器件的应用需求。

国内有试验研究通过化学刻蚀方法在银制材料表面刻蚀深孔阵列，具有较低的二次电子发射系数，但是银金属容易发生硫化导致微波传输性能降低，因此该方法无法满足微波器件的使用环境要求，另一方面，采用化学刻蚀方法进行零件表面深孔织构工序繁多，工艺过程复杂，且成本较高，不适合批量使用。

除化学刻蚀方法外，研究表明采用激光刻蚀的方法也可以在金属材料表面加工微型深孔，但多见单个深孔的加工成型研究，虽然可以通过微透镜实现局部深孔阵列，但仍无法满足微波器件的大表面加工要求，无法达到最佳二次电子发射抑制效果。因此研究可用于大面积零件表面深孔阵列织构加工方法和装置，大幅降低微波器件零件表面二次电子发射系数成为突破微放电抑制瓶颈的关键技术。

发明内容

本发明解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种可在厘米尺寸微波器件表面进行微观深孔阵列织构加工的装置及加工方法，有效降低微波器件表面二次电子发射系数，大幅降低微波器件使用过程中的微放电风险，提高微波器件的功率容量和可靠性。

本发明的技术解决方案是：一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工装置，包括激光输出模块、微透镜、移动台和控制模块，其中：

激光输出模块：在控制模块的控制下，产生固定输出功率和时间间隔的单束激光束；

微透镜：将激光输出模块产生的单束激光束形成阵列激光束照射到微波器件的表面形成小孔；

移动台：承载微波器件，并在控制模块的控制下进行横向和纵向移动，使得微波器件的表面均能被阵列激光束照射形成阵列织构；

控制模块：控制激光输出模块输出激光的功率和时间间隔，控制移动台的横向移动和纵向移动，其中：

横向移动间距＝M×Sx；

横向移动次数＝[L/(M×Sx)]+1；

纵向移动间距＝N×Sy；

纵向移动次数＝[W/(N×Sy)]+1；

Sx为小孔横向间距，Sy为小孔纵向间距，L为微波器件的横向长度，W为微波器件的纵向宽度，M为阵列激光束的横向数目，N为阵列激光束的纵向数目。

一种抑制二次电子发射的微波器件表面加工方法，包括如下步骤：

1)将微波器件放置在移动台的顶面上；

2)利用激光输出模块产生固定输出功率和时间间隔的激光束，并利用微透镜将激光输出模块产生的激光束形成阵列激光束照射到微波器件的表面形成小孔；

3)控制移动台的移动间距和移动时间，完成在微波器件表面的阵列织构处理，其中：

横向移动间距＝M×Sx；

横向移动次数＝[L/(M×Sx)]+1；

纵向移动间距＝N×Sy；

纵向移动次数＝[W/(N×Sy)]+1；

Sx为小孔横向间距，Sy为小孔纵向间距，L为微波器件的横向长度，W为微波器件的纵向宽度，M为阵列激光束的横向数目，N为阵列激光束的纵向数目。

所述的阵列织构为矩形等距阵列或三角等距阵列。所述的阵列织构中各小孔的孔距5～25um，孔径5～25um，深宽比为2～0.3。所述的激光输出模块产生的激光束为飞秒激光或纳米激光。

本发明与现有技术相比的优点在于：