[发明专利]一种显示面板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201510036593.1 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104617128B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 王丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括:第一基板和与所述第一基板相对贴合设置的第二基板,所述第一基板和第二基板之间设置有密封胶层,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,其特征在于,所述显示面板还包括:融合层,其中:
所述融合层设置在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置;
所述融合层的材料为金属材料;所述金属材料在高频交变磁场的作用下产生电流,所述电流在导体内部流动产生热量使与所述融合层接触的所述密封胶层受热,所述密封胶层中的材料发生熔化。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括保护层,其中:
所述保护层设置在所述融合层的外围,且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触;所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层与所述融合层同层设置。
4.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板上设置有OLED显示结构,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
5.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
6.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述融合层的厚度为
7.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层覆盖区域的宽度为50~100μm。
8.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层的厚度为
9.根据权利要求1~3任一所述的显示面板,其特征在于,
所述密封胶层的厚度为3~10μm。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一第一基板和第二基板;
在所述第二基板上形成密封胶层;其中,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构;
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成融合层;
将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构;
所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,包括:将所述第一基板和所述第二基板压合;采用高频交变磁场处理经过压合后的所述显示面板,促使所述密封胶融合并与所述融合层粘结,使得所述第一基板和所述第二基板粘结后具有密闭结构。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构之前,还包括:
在所述融合层的外围且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触的位置形成保护层;
其中,所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述融合层包括:
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成金属薄膜;
通过构图工艺处理所述金属薄膜,形成所述融合层。
13.根据权利要求10~12任一所述的方法,其特征在于,
所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
14.根据权利要求10~12任一所述的方法,其特征在于,所述第一基板为具有OLED显示结构的基板,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1~9任一所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的