[发明专利]一种显示面板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201510036593.1 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104617128B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 王丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
近年来,有机电致发光器件(organic electroluminescent device,简称OLED)作为一种新型的平板显示器件逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点,成为可能代替液晶显示的下一代显示技术。但是,在OLED器件中存在对于水汽和氧气极为敏感的有机层材料,会使OLED显示器件的寿命大大降低。目前,为了解决这个问题,多采用利用各种材料将有机器件与外界空间隔离的方法。但是这种解决方法所要达到的密闭性空间具体需达到的水汽和氧气的条件比较高。
现有技术中采用的封装方法中,frit玻璃封装广泛的应用在中小尺寸OLED器件封装中,与其他方法相比具有其显著的优势。在这种方法中,首先将玻璃浆料分散在封装基板上,进一步通过高温烧结的方法将浆料中的有机溶剂和粘合剂烧结完全,一般此烧结温度在400℃到500℃之间。烧结完成后利用激光束移动加热玻璃料熔化,熔化的玻璃料在上下两基板玻璃间形成密闭的封装连接,从而提供气密式密封。在已有的技术方案中,frit玻璃的熔化都是依靠激光束的照射实现的,而且只有特定的frit玻璃材料才具有对激光吸收的作用。因此,现有技术中的这种方案需要采用对激光具体吸收作用的特定波长的frit玻璃材料,极大的限制了玻璃封接技术的应用范围和应用材料。同时,采用激光实现封装的方法的成本较高,时间也比较长,导致最终的生产效率也较差。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法和显示装置,解决了只能用特定的玻璃原料和特定的方法实现显示面板的封装基板和阵列基板的封装的问题,降低了生产成本,减少了生产时间,从而提高了生产效率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括:第一基板和与所述第一基板相对贴合设置的第二基板,所述第一基板和第二基板之间设置有密封胶层,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构,所述显示面板还包括:融合层,其中:
所述融合层设置在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置;
所述融合层的材料为金属材料。
可选的,所述显示面板还包括保护层,其中:
所述保护层设置在所述融合层的外围,且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触;所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
可选的,所述保护层与所述融合层同层设置。
可选的,所述第一基板上设置有OLED显示结构,其中:
所述OLED显示结构包括:依次形成于基板上的第一电极、有机材料功能层以及第二电极;所述有机材料功能层包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
可选的,所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
可选的,所述融合层的厚度为
可选的,所述保护层覆盖区域的宽度为50~100μm。
可选的,所述保护层的厚度为
可选的,所述密封胶层的厚度为3~10μm。
第二方面,提供一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
提供一第一基板和第二基板;
在所述第二基板上形成密封胶层;其中,所述密封胶层用于将所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构;
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成融合层;
将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构。
可选的,所述将所述第一基板与所述第二基板对位压合,使得所述第一基板和所述第二基板粘结形成密闭结构之前,还包括:
在所述融合层的外围且与所述第一基板靠近所述第二基板的一面接触的位置形成保护层;
其中,所述保护层覆盖所述融合层的外侧。
可选的,形成所述融合层包括:
采用金属材料在所述密封胶层与所述第一基板之间,且与所述密封胶层对应的位置形成金属薄膜;
通过构图工艺处理所述金属薄膜,形成所述融合层。
可选的,所述金属材料包括:铁、镍、铜或铬。
可选的,所述第一基板为具有OLED显示结构的基板,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的