[发明专利]用于可编程集成电路器件的配置位架构

说明书

在集成电路器件上的存储器单元阵列包括布置成至少一列的多个存储器单元。每个存储器单元包括形成两个互补存储器节点的多个晶体管。每个互补存储器节点被连接到相应的上拉或者下拉晶体管对，该上拉或者下拉晶体管对被串联连接并且在它们之间具有共享节点。对于存储器单元中的一个特定存储器单元，共享节点中的与互补存储器节点中的一个互补存储器节点相关联的一个共享节点被直接连接到与在存储器单元中的第二存储器单元中的对应的互补存储器节点相关联的对应的相应的共享节点，并且共享节点中的与互补存储器节点中的另一互补存储器节点相关联的另一共享节点被直接连接到与在存储器单元中的第三存储器单元中的对应的互补存储器节点相关联的对应的共享节点。

技术领域

本发明涉及用于可编程集成电路器件(例如，现场可编程门阵列或者FPGA)的配置位架构，并且尤其涉及具有降低的漏电的这样的架构。

背景技术

早期的可编程器件是一次性可配置的。例如，可以通过“烧断”(即，打开)熔丝连接来实现配置。备选地，配置可以被存储在可编程只读存储器中。那些器件通常向用户提供配置器件用于“乘积和”(或者“乘积项(P-TERM)”)逻辑运算的能力。后来，并入可擦可编程只读存储器(EPROM)以用于配置的这样的可编程逻辑器件变得可用，从而允许器件被重新配置。

再后来，并入静态随机存取存储器(SRAM)元件以用于配置的可编程器件变得可用。也可以被重新配置的这些器件将它们的配置存储在诸如EPROM之类的非易失性存储器中，当器件被加电时，配置从非易失性存储器中被加载到配置元件。这些器件一般向用户提供对器件进行配置以用于查找表类型的逻辑操作的能力。

配置元件的一个特性是漏电，这增加可编程器件的功率消耗。可以通过在配置存储器中使用堆叠的上拉(pull-up)或者下拉(pull-down)晶体管来降低漏电。然而，随着晶体管特征尺寸降低，由于在隔离堆叠晶体管之间的节点方面的困难，在没有大的器件面积惩罚的情况下实现堆叠晶体管变得越来越困难。

发明内容

通过以在下文中详细描述的交替模式有意地互连邻近的配置存储器单元(memorycell)的共享节点，无能力隔离在两个上拉或者下拉晶体管之间的共享节点被转变成优点。依赖于在每个单元中存储的特定配置位，互连节点将要么漏电要么不漏电。在节点不漏电的情况下，相比不包括互连节点的架构，情况被改善。在节点确实漏电的情况下，情况不比不包括互连节点的结构差。如下所见，因为大部分可编程器件配置位流主要包含零，所以不漏电的共享节点通常将占主导，并且在大部分情况下漏电被降低。

根据本发明，提供了在集成电路器件上的存储器单元阵列，包括布置成至少一列的多个存储器单元。每个存储器单元包括形成两个互补存储器节点的多个晶体管，其中互补存储器节点中的一个互补存储器节点存储值，并且互补存储器节点中的另一互补存储器节点存储该值的补码。互补存储器节点中的每个相应的互补存储器节点被连接到相应的上拉或者下拉晶体管对。相应的上拉或者下拉晶体管对被串联连接，并且在它们之间具有相应的共享节点。对于存储器单元中的一个特定存储器单元，相应的共享节点中的与互补存储器节点中的一个节点相关联的一个相应的共享节点，被直接连接到与在存储器单元中的第二存储器单元中的对应的互补存储器节点相关联的对应的相应的共享节点，并且相应的共享节点中的与互补存储器节点中的另一互补存储器节点相关联的另一相应的共享节点被直接连接到与在存储器单元中的第三存储器单元中的对应的互补存储器节点相关联的对应的相应的共享节点。

还提供了并入这样的存储器阵列的可编程集成电路器件，以及形成这样的存储器阵列的方法。

附图说明

考虑到下面的详细描述，与附图相结合进行理解，本发明的进一步的特征、其本质及各种优点将显而易见，在附图中，相同的附图标记通篇指相同的部分，并且在附图中：

图1示出了已知的存储器单元配置；

图2示出了具有堆叠上拉晶体管的已知的存储器单元配置；