[发明专利]用于处理衬底的设备有效
申请号: | 201510037225.9 | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN104934348B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 玄俊镇;宋炳奎;金劲勳;金龙基;申良湜;金苍乭 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 衬底 设备 | ||
1.一种用于处理衬底的设备,在所述设备中对衬底执行工艺,其特征在于所述设备包括:
下部腔室,所述下部腔室具有开放的上部及在其一侧的通道,可通过所述通道接近所述衬底;
外部反应管,其经设置以关闭所述下部腔室的所述开放的上部,进而提供在其中执行所述工艺的工艺空间;
衬底固持器,至少一衬底垂直地堆叠在其中,所述衬底固持器在堆叠位置与工艺位置之间切换,在所述堆叠位置中,所述衬底堆叠在所述衬底固持器中,在所述工艺位置中,对所述衬底执行所述工艺;
内部反应管,其安置在所述外部反应管中,所述内部反应管围绕安置在所述工艺位置处的所述衬底固持器而安置,以相对于所述衬底分割反应区;
气体供应单元,其安置在所述外部反应管中以将反应气体供应到所述反应区中;
多个加热器,其安置成在彼此不同的高度处环绕所述外部反应管,进而加热所述工艺空间;
绝缘框架,安置以固定所述加热器且安置成环绕所述外部反应管;
罩盖,安置成环绕所述绝缘框架的外部以阻挡从外部引入灰尘及减少热损耗,
其中所述绝缘框架具有:
多个插入凹槽,从所述绝缘框架的内圆周表面凹进,所述多个插入凹槽在所述工艺空间内彼此垂直地间隔开,且所述加热器的加热器管固定于其中;以及绝热材料,安置在所述加热器之间以防止热在所述加热器之间传递,
其中所述外部反应管的外部被所述绝缘框架以及所述罩盖环绕,
且,所述工艺空间内的温度变化速率为80℃/分钟到200℃/分钟。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述加热器具有彼此不同的加热温度。
3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述加热器中的每一个包括:
环形的所述加热器管,其具有内部空间,所述内部空间中填充有卤素气体,其中所述加热器管的圆周的一部分是开放的;
加热丝,其安置在所述加热器管的所述内部空间中以发射光;
一对端子部分,其耦合到所述加热器管的两个开放端中的每一个以密封所述内部空间,所述端子部分电连接到所述加热丝;以及
电源,其电连接到所述端子部分以将电流供应到所述加热丝中。
4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于从所述电源供应到所述多个加热器中的所述电流具有彼此不同的强度。
5.根据权利要求3所述的设备,其特征在于所述罩盖在其一个表面中具有多个通孔,通过所述通孔来暴露所述端子部分,所述罩盖安置成环绕所述绝缘框架,其中所述通孔以Z字形形状垂直地安置在所述工艺空间内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510037225.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造