[发明专利]用于处理衬底的设备

说明书

本发明提供一种用于处理衬底的设备。在其中对衬底执行工艺的用于处理衬底的所述设备包含：下部腔室，所述下部腔室在其一侧中具有开放的上部及通道，可通过所述通道接近衬底；外部反应管，其经设置以关闭下部腔室的开放的上部，进而提供在其中执行所述工艺的工艺空间；衬底固持器，至少衬底垂直地堆叠在其中，所述衬底固持器在堆叠位置与工艺位置之间切换，在所述堆叠位置中，衬底堆叠在衬底固持器中，在所述工艺位置中，对衬底执行所述工艺；以及气体供应单元，其安置在外部反应管中以将反应气体供应到反应区中，进而产生在垂直方向上具有彼此不同的相位差的反应气体气流。该设备根据高度在不同温度下加热工艺空间，能够提高衬底处理生产量。

技术领域

本发明涉及用于处理衬底的设备，且更确切地说，涉及一种用于处理衬底的设备，其中多个加热器安置在彼此不同的高度处以根据所述高度在彼此不同的温度下加热工艺空间。

背景技术

一般选择性外延工艺(epitaxy process)涉及沉积反应及蚀刻反应。所述沉积及蚀刻反应在多晶层及外延层上以相对不同的反应速率同时进行。在沉积工艺期间，外延层形成于单晶表面上，而现有的多晶层和/或非晶层沉积在至少一个第二层上。然而，可以比外延层的速率大的速率来蚀刻所沉积的多晶层。因此，随着蚀刻剂气体的浓度改变，净选择性工艺(net selective process)可导致外延材料的沉积及多晶材料的有限或非有限沉积。举例来说，在选择性外延工艺中，由含硅材料形成的外延层可形成于单晶硅表面上，而不允许所沉积的材料保持在间隔物上。

在选择性外延工艺中，使用普通加热丝的加热器用作用于加热工艺空间的加热源。然而，由于使用加热丝的加热器在加热温度在工艺空间中变化时会长时间地使用，所以生产量可能降低。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)第2008/073926号国际公开案(2008年6月19日)

(专利文献2)第10-2009-0035430号韩国专利公开案(2009年4月9日)

发明内容

本发明提供一种用于处理衬底的设备，其中根据高度在不同温度下加热工艺空间。

本发明还提供一种用于处理衬底的设备，其中工艺空间的温度快速变化。

本发明还提供一种用于处理衬底的设备，所述设备能够提高衬底处理生产量。

参考以下详细描述及附图，本发明的另一个目的将变得显而易见。

根据一示范性实施例，一种用于在其中对衬底执行工艺的用于处理所述衬底的设备包含：下部腔室，所述下部腔室在其一侧中具有开放的上部及通道，可通过所述通道接近所述衬底；外部反应管，其经设置以关闭所述下部腔室的所述开放的上部，进而提供在其中执行所述工艺的工艺空间；衬底固持器，至少衬底垂直地堆叠在其中，所述衬底固持器在堆叠位置与工艺位置之间切换，在所述堆叠位置中，所述衬底堆叠在所述衬底固持器中，在所述工艺位置中，对所述衬底执行所述工艺；内部反应管，其安置在所述外部反应管中，所述内部反应管围绕安置在所述工艺位置处的所述衬底固持器而安置，以相对于所述衬底分割反应区；气体供应单元，其安置在所述外部反应管中以将反应气体供应到所述反应区中；以及多个加热器，其安置成在彼此不同的高度处环绕所述外部反应管，进而加热所述工艺空间。

所述加热器可具有彼此不同的加热温度。

所述加热器中的每一个可包含：环形加热器管，其具有内部空间，所述内部空间中填充有卤素气体，其中所述加热器管的圆周的一部分是开放的；加热丝，其安置在所述加热器管的所述内部空间中以发射光；一对端子部分，其耦合到所述加热器管的两个开放端中的每一个以密封所述内部空间，所述对端子部分电连接到所述加热丝；以及电源，其电连接到所述端子部分以将电流供应到所述加热丝中。