[发明专利]高密度集成电路封装结构

权利要求书

1.一种高密度集成电路封装结构，所述结构包括：金属引线框和封装金属引线框的塑封结构；其中，金属引线框包括：引线框基岛、内引脚线和外引脚线；芯片与引线框基岛固定，芯片和内引脚线通过微连接线连接；其特征在于，

所述相邻两排外引脚线之间交叉重叠。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述塑封结构的长度 A1 满足关系：9.30mm ＜ A1 ≤ 9.50mm ；塑封结构的宽度A2满足关系:3.00mm≤A2≤3.20mm塑封结构的厚度 A3 满足关系 ：1.50mm ≤ A3 ≤ 1.90mm ；外引脚线的个数是 8 个。

3. 根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述封装结构中外引脚线的跨度 B1 满足 5.20mm ≤ B1 ≤ 5.80mm ；外引脚线的间距 B2 满足2.44mm ≤ B2 ≤ 2.64mm ；外引脚线的长度 B3 满足 3.60mm ≤ B3 ≤ 4.60mm ；外引脚线的插入宽度 B4 满足 0.41mm ≤ B4 ≤ 0.51mm。

4.根据权利要求2或3所述的结构，其特征在于，所述塑封结构的长度A1＝9.40mm ；塑封结构的宽度A2=3.1mm ； 塑封结构的厚度A3=1.70mm ；外引脚线的跨度B1 =5.50mm ；外引脚线的间距B2 =2.54mm ； 外引脚线的长度 B3=4.1mm ；外引脚线的插入宽度 B4 =0.46mm。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述内引脚线的外表面设置有银合金镀层。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述引线框基岛的背面开设有网状结构。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述引线框基岛表面设有氧化层。

8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述引线框基岛到内引脚顶端的距离为0.20mm ；引线框基岛下沉距离为 0.250mm ；内引脚长度为0.53mm。

9.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述氧化层的质量百分比为：

氧化铟：45-50％；

氧化锡：25-30％；

氧化锗：8-10％；

氧化锌：余量。

10.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述银合金镀层的质量百分比为：

Cu ：1.8-2.5％；

Ge ：1.2-1.5％；

Sn ：1.5-2.5％；

In ： 0.8-1.2％；

Ag：余量。