[发明专利]高密度集成电路封装结构有效

专利信息
申请号: 201510041106.0 申请日: 2015-01-27
公开(公告)号: CN104576592A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 罗奕;陈健 申请(专利权)人: 深圳市梦工厂科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/49
代理公司: 深圳市启明专利代理事务所(普通合伙) 44270 代理人: 郁士吉
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高密度 集成电路 封装 结构
【说明书】:

技术领域

发明属于集成电路领域,尤其涉及一种高密度集成电路封装结构。

背景技术

集成电路是现代技术的核心,也是现代科学技术发展的基础,科学研究都必须依 赖以集成电路为核心的仪器设备;另外它还是人类现代文明的基础,从根本上改变人们生 活方式的现代文明,如物联网、互联网、电脑、电视、冰箱、手机、IPAD、IPHONE、各种自动控制 设备等等都依赖集成电路来实现其智能化功能的。集成电路的制造分设计、圆片制造、封装、测试几个主要部分,封装是其中关键环节,建立在封装技术上的封装形式是为满足各种用途对集成电路的性能、体积、可靠性、形状和成本的特殊要求而研制的。

集成电路封装是指通过使用能够保证单晶材料完美晶格结构的研磨、切割技术将集成电路圆片分离成符合要求的单一芯片,用导电胶、绝缘胶或共晶等技术将芯片固定到引线框基岛上,用微细连接技术( 微米级) 将芯片和外引线脚连接起来,然后用高分子材料或陶瓷材料将芯片和引线等保护起来,并形成一定的形状,成为可供用户使用的集成电路产品。

集成电路的封装类型可以概括为两大类 :密封陶瓷封装以及塑料封装。现在集成电路的封装形式主要有 DIP、SOP、TSSOP、MSOP、QFP、PLCC、QFN、DFN 等。 对于集成电路外引线数为 8 条的产品或者少于 8 条的产品,其封装形式主要为 DIP、SOP、 TSSOP、MSOP、QFN、DFN 等等。DIP8 封装形式可应用于各种印刷线路板、操作简单方便、整机企业应用成本低,但集成电路体积大、封装用料多、封装效率低、封装成本高、频率特性一般、内阻较高;SOP8 封装形式集成电路体积小、封装用料少、封装效率高、封装成本低、频率 特性较好、内阻较低,但是,对印刷线路板要求较高,需要高速贴片机才能将集成电路贴到印刷线路板上、整机企业应用成本高,封装和使用综合成本明显提高。

集成电路的封装形式对集成电路产品的性能、可靠性、成本具有重大作用。随着芯片制造技术从微米向纳米级发展,单位面积芯片功能每 18 个月翻番的摩尔定律在逐渐失效,未来功能强大的云计算、互联网中的物联网和移动网等等必须依赖其核心技术集成电路的突破,集成电路的大容量、高速度、低功耗的提高,在芯片制造上将变得越来越难,更大程度上需要封装形式及技术的突破。原来集成电路芯片制造技术的特征尺寸是微米级,现有的微米级的封装结构的成本高。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种高密度集成电路封装结构,旨在解决现有的技术方案成本高的问题。

一方面,提供一种高密度集成电路封装结构,所述结构包括:金属引线框和封装金属引线框的塑封结构;其中,金属引线框包括:引线框基岛、内引脚线和外引脚线;芯片与引线框基岛固定,芯片和内引脚线通过微连接线连接;所述相邻两排外引脚线之间交叉重叠。

可选的,所述塑封结构的长度 A1 满足关系:9.30mm < A1 ≤ 9.50mm ;塑封结构的宽度A2满足关系:3.00mm≤A2≤3.20mm塑封结构的厚度 A3 满足关系 :1.50mm ≤ A3 ≤ 1.90mm ;外引脚线的个数是 8 个。

可选的,所述封装结构中外引脚线的跨度 B1 满足 5.20mm ≤ B1 ≤ 5.80mm;外引脚线的间距 B2 满足2.44mm ≤ B2 ≤ 2.64mm ;外引脚线的长度 B3 满足 3.60mm ≤ B3 ≤ 4.60mm ;外引脚线的插入宽度 B4 满足 0.41mm ≤ B4 ≤ 0.51mm。

可选的,所述塑封结构的长度A1=9.40mm ;塑封结构的宽度A2=3.1mm ; 塑封结构的厚度A3=1.70mm ;外引脚线的跨度B1 =5.50mm ;外引脚线的间距B2 =2.54mm ; 外引脚线的长度 B3=4.1mm ;外引脚线的插入宽度 B4 =0.46mm。

可选的,所述内引脚线的外表面设置有银合金镀层。

可选的,所述引线框基岛的背面开设有网状结构。

可选的,所述引线框基岛表面设有氧化层。

可选的,所述引线框基岛到内引脚顶端的距离为 0.20mm ;引线框基岛下沉距离为 0.250mm ;内引脚长度为 0.53mm。

可选的,所述氧化层的质量百分比为:

氧化铟:45-50%;

氧化锡:25-30%;

氧化锗:8-10%;

氧化锌:余量。

可选的,所述银合金镀层的质量百分比为:

Cu :1.8-2.5%;

Ge :1.2-1.5%;

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