[发明专利]阵列基板以及显示装置在审

专利信息
申请号: 201510041303.2 申请日: 2015-01-27
公开(公告)号: CN104536174A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 董廷泽;黄东升;张大伟;张千;陈召;莫骏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1337
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 以及 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板以及显示装置。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)是目前平板显示装置中应用最为广泛的一种。液晶显示装置的主要构成部件是液晶面板,液晶面板主要包括彩膜基板、阵列基板以及设置于二者之间的液晶。阵列基板中设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT),通过与薄膜晶体管相连的像素电极产生电场,从而实现对液晶的驱动控制,实现图像显示。

在液晶面板中,为了获得均匀的液晶分子排列以及初始方向,需要对液晶进行取向,现有技术一般通过取向膜控制液晶分子的初始取向。取向膜设置于彩膜基板和阵列基板朝向液晶层的一侧,并经过摩擦工艺使取向层具有取向能力。摩擦工艺中,通常利用外表面包覆有摩擦绒布的摩擦辊轮,在取向层上沿设定的方向滚动,通过绒布对取向层施加摩擦力,从而在取向层表面形成方向一致的取向槽,以使液晶分子沿着取向槽按照一定的方向排列,实现液晶取向。

在摩擦工艺中,摩擦辊轮对取向层施加垂直方向的压力,因此被摩擦面的平整度(或者平坦度)对取向槽的深度影响很大,如果被摩擦面的表面某处存在高度差,则摩擦绒布纤维将产生不一致的形变,进而导致被摩擦面上产生深浅不一致的取向槽。然而,在液晶面板的用于图像显示的显示区和包围于显示区外围的非显示区通常具有不同的平坦度。一般情况下,彩膜基板和阵列基板对应着显示区的区域较为平坦;而在非显示区,尤其是阵列基板,由于阵列基板薄膜晶体管与驱动芯片的布线原因,会导致非显示区形成包括多个不同高度的工艺段差;同时,为保证产品良率,如图1所示,通常还在非显示区中设置测试盘31(Test Pad),测试盘31的结构与TFT的结构仅部分相同;同时,测试盘31还会根据需要设置相应的测试过孔32,通过测试过孔32加载驱动信号,以便在关键工艺后对TFT阵列进行测试。在测试盘31中设置测试过孔32时,测试过孔32与阵列基板中各工艺层会形成较大的段差。

当该阵列基板采用摩擦工艺进行摩擦取向时,摩擦绒布受基板表面较大段差的影响会产生不同的形变,因为绒布纤维形变具有一定的累加性(或叫记忆性),由段差造成的纤维形变若得不到及时缓解,一方面会使绒布的利用率和使用寿命大幅降低,导致被摩擦面产生不良的程度逐渐加剧;另一方面,这种形变会导致绒布在基板上的摩擦强度不均匀,进而造成在取向层中取向槽的深浅不一致,而取向槽深浅的不一致容易造成沿摩擦方向产生摩擦Mura(Rubbing Mura)不良,产品良率降低。

摩擦Mura不良是摩擦工艺中一个严重的品质问题,不仅严重影响产品的画面品质,而且ET检出率较低,造成后端严重的资材浪费以及品质问题。同时,在彩膜基板和阵列基板(尤其是阵列基板)采用何种布线结构能减轻摩擦Mura不良,一直是摩擦工艺中的难题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种阵列基板以及显示装置,该阵列基板使非显示区布线的差异化消除,减小或消除因外围走线不一致产生的摩擦Mura,进而使摩擦效果一致。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板,包括显示区以及包围于所述显示区外围的非显示区,所述非显示区设置有用于连接外部控制信号的信号单元以及未设置所述信号单元的间隙区域,其中,所述间隙区域内设置有辅助单元,所述辅助单元与所述信号单元具有相同的高度且分别电性隔离,所述辅助单元表面与所述信号单元的局部表面具有相同的图案。

优选的是,所述信号单元在所述非显示区的边缘设置有多个平行排列的条状接线端;

所述间隙区域对应位于所述非显示区的边缘,所述辅助单元包括多个平行排列的条状结构,多个所述条状结构的排列方向与所述条状接线端的排列方向相同,且多个所述条状结构之间的间距与所述信号单元中多个条状接线端之间的间距相同。

优选的是,多个所述条状结构的长度和宽度分别与所述条状接线端的长度和宽度对应相等。

优选的是,所述显示区设置有控制元件,所述信号单元与所述控制元件和外部控制信号供给单元连接,所述辅助单元与所述控制元件具有相同的层结构。

优选的是,所述控制元件为薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、同层设置的源极和漏极、钝化层以及像素电极层,同行/列排列的所述薄膜晶体管的栅极与同一栅线连接;

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