[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，将基板载置于所述基板载置部，向所述处理容器内供给处理气体而对所载置的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。

技术领域

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

近年来，作为实施原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等的成膜装置，正在推进所谓的旋转台式的成膜装置的研究开发。该成膜装置在真空容器内具有旋转台，该旋转台用于以能够旋转的方式载置多张作为被处理体的半导体晶圆(以下，称作晶圆)。而且，具有被划分于该旋转台的上方的反应气体A的供给区域、反应气体B的供给区域以及分离这些供给区域的分离区域。

当利用所述成膜装置反复进行基板处理工序时，来源于反应气体的反应生成物会累积地附着于处理容器的内壁、基板保持件等而形成累积膜(堆积膜)。若累积膜的膜厚超过规定的厚度，则在成膜时由累积膜产生的气体发生有时反应而在晶圆上附着不期望的物质。另外，会因累积膜的破裂或剥落而产生微粒，从而有时将晶圆等污染。

因此，在日本特开2008－283148号公报中记载有如下一种方法：当累积膜的膜厚超过规定的厚度之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器的内壁、基板保持件等的反应生成物去除。

然而，当累积膜的膜厚变大时，因附着于处理容器的内壁的累积膜的膜的剥落而产生微粒。特别是，与在晶圆上形成有氮化硅膜等氮化物系的膜的情况相比，在晶圆上形成有氧化硅膜等氧化物系的膜的情况下，容易产生微粒。因此，与氮化物系的膜的情况相比，需要频繁地实施清洁处理，从而缩短了能够分配给成膜处理的时间。其结果，存在如下问题：表示基板处理装置的预防性维护的周期的PM(Preventive Maintenance)周期变短，还使基板处理装置的停机时间增加。

发明内容

针对所述问题，本发明的一实施方式提供一种能够抑制产生微粒的基板处理方法。

采用本发明的一技术方案，提供一种基板处理方法，在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，向所述基板载置部输入基板，向所述处理容器内供给处理气体而对所输入的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下，向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。

采用本发明的另一技术方案，提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部；输送臂，其能够将基板输入至该旋转台的所述基板载置部；第1处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第1处理气体；第2处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第2处理气体；以及分离气体供给部件。分离供给部件设于所述旋转台的旋转方向上的、所述第1处理气体供给部件与所述第2处理气体供给部件之间和所述第2处理气体供给部件与所述第1处理气体供给部件之间，该分离气体供给部件用于供给使所述第1处理气体和所述第2处理气体分离的分离气体。基板处理装置还包括：氧气供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给氧气；氢气供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给氢气；以及控制部。控制部用于至少对所述旋转台、所述输送臂、所述第1处理气体供给部件、所述第2处理气体供给部件、所述氧气供给部件以及所述氢气供给部件的工作进行控制。另外，所述控制部对如下工作进行控制：使用所述输送臂将基板输入到所述基板载置部；通过自所述第1处理气体供给部件和所述第2处理气体供给部件向所述处理容器内供给供给处理气体来对所输入的所述基板进行处理；在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下自所述氧气供给部件和所述氢气供给部件向所述处理容器内至少供给水蒸气；以及利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板。