[发明专利]具钝化层的太阳能电池及其制程方法在审

申请号：	201510045608.0	申请日：	2015-01-29
公开（公告）号：	CN104867990A	公开（公告）日：	2015-08-26
发明（设计）人：	杨美环;童钧彦;许晋維;吴振良;陈坤贤;赵伟胜;彭英杰;黄德智;庄明战	申请（专利权）人：	美环能股份有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/18
代理公司：	北京汇泽知识产权代理有限公司 11228	代理人：	张秋越
地址：	中国台湾高雄***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	钝化太阳能电池及其方法
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：

一垂直多接面电池，其具有多个PN接面结构及多个电极层，其中，该PN接面结构彼此相互间隔，且各PN接面结构包含一P+型扩散掺杂层、一P型扩散掺杂层、一N型扩散掺杂层与一N+型扩散掺杂层，其中该P+型扩散掺杂层具有一P+型端面，且该P型扩散掺杂层连接至该P+型端面并具有一P型端面，该N型扩散掺杂层连接至该P型扩散掺杂层并具有一N型端面，及该N+型扩散掺杂层连接至该N型扩散掺杂层并具有一N+型端面，且各电极层配置并连接于两邻近PN接面结构之间，其具有一显露面；以及

一钝化层，其覆盖于该P+型扩散掺杂层的该P+型端面、该P型扩散掺杂层的该P型端面、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端面及该电极层的该显露面。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，各该PN接面结构包含一光接收表面，且该光接收表面包含该P+型扩散掺杂层的该P+型端面，该P型扩散掺杂层的该P型端面，该N型扩散掺杂层的该N型端面以及该N+型扩散掺杂层的该N+型端面。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该光接收表面是一不平整表面。

4.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，各该电极层的该显露面及各该具有PN接面结构的该光接收表面之间具有一高度差。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，该显露面的位置低于该光接收表面。

6.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，各该电极层包含由该显露面所形成的一凹槽，且该凹槽的深度大于该高度差。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，各该电极层包含由该显露面所形成的一凹槽，且该凹槽由该钝化层加以填充。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P+型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁹ 原子/立方公分至10²¹ 原子/立方公分之间。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P+型扩散掺杂层的厚度介于0.3 μm至3 μm之间。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁶ 原子/立方公分至10²⁰ 原子/立方公分之间。

11.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P型扩散掺杂层的厚度介于1 μm至50 μm之间。

12.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该N型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁶ 原子/立方公分至10²⁰ 原子/立方公分之间。