[发明专利]具钝化层的太阳能电池及其制程方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种太阳能电池及其制程方法，特别有关于一种具钝化层的太阳能电池及其制程方法。

背景技术

垂直多接面(Vertical multi-junction，VMJ)的太阳能电池允许其输出电压高过传统的单接面太阳能电池的输出电压。特别是，该垂直多接面电池可以在高聚光强度下运作。然而，载子复合(carrier recombination)的机率是现在该垂直多接面电池的挑战，因为该多接面的太阳能电池的光入射表面容易发生载子复合的情形，而导致光电转换效率不佳。光电转换效率的衰退使该多接面的太阳能电池无法广泛地被应用。

有鉴于此，极有必要发展一种可以降低载子复合机率的太阳能电池或方法。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的主要目的在于提出一种太阳能电池，可以降低载子复合的机率。

本发明的次要目的在于提出一种太阳能电池的制程方法，可以制造出可以降低载子复合的机率的太阳能电池。

为达上述的主要目的，本发明提出一种具钝化层的太阳能电池，其包含：一垂直多接面电池，其具有多个PN接面结构及多个电极层，其中该PN接面结构彼此相互间隔，且各PN接面结构包含一P+型扩散掺杂层、一P型扩散掺杂层、一N型扩散掺杂层与一N+型扩散掺杂层，其中该P+型扩散掺杂层具有一P+型端面，且该P型扩散掺杂层系连接至该P+型端面并具有一P型端面，该N型扩散掺杂层系连接至该P型扩散掺杂层并具有一N型端面，及该N+型扩散掺杂层系连接至该N型扩散掺杂层并具有一N+型端面，且各电极层系配置并连接于两邻近PN接面结构的间，其具有一显露面；以及一钝化层，其覆盖于该P+型扩散掺杂层的该P+型端面、该P型扩散掺杂层的该P型端面、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端面、及该电极层的该显露面。

作为优选技术方案，各该PN接面结构包含一光接收表面，且该光接收表面包含该P+型扩散掺杂层的该P+型端面，该P型扩散掺杂层的该P型端面，该N型扩散掺杂层的该N型端面以及该N+型扩散掺杂层的该N+型端面。

作为优选技术方案，该光接收表面是一不平整表面。

作为优选技术方案，各该电极层的该显露面及各该具有PN接面结构的该光接收表面之间具有一高度差。

作为优选技术方案，该显露面的位置低于该光接收表面。

作为优选技术方案，各该电极层包含由该显露面所形成的一凹槽，且该凹槽的深度大于该高度差。

作为优选技术方案，各该电极层包含由该显露面所形成的一凹槽，且该凹槽由该钝化层加以填充。

作为优选技术方案，该P+型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁹ 原子/立方公分至10²¹ 原子/立方公分之间。

作为优选技术方案，该P+型扩散掺杂层的厚度介于0.3 μm至3 μm之间。

作为优选技术方案，该P型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁶ 原子/立方公分至10²⁰ 原子/立方公分之间。

作为优选技术方案，该P型扩散掺杂层的厚度介于1 μm至50 μm之间。

作为优选技术方案，该N型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁶ 原子/立方公分至10²⁰ 原子/立方公分之间。

作为优选技术方案，该N型扩散掺杂层的厚度介于1 μm至50 μm之间。

作为优选技术方案，该N+型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁹ 原子/立方公分至10²¹ 原子/立方公分之间。

作为优选技术方案，该N+型扩散掺杂层的厚度介于0.3 μm至3 μm之间。

作为优选技术方案，各该PN接面结构亦包含一P-型扩散掺杂层，其配置并连接于该P型扩散掺杂层及该N型扩散掺杂层之间。

作为优选技术方案，该P-型扩散掺杂层具有一P-型端面，且该P-型端面由该钝化层所覆盖。

作为优选技术方案，该P-型扩散掺杂层的掺杂浓度介于10¹⁴ 原子/立方公分至10¹⁸ 原子/立方公分之间。

作为优选技术方案，各该PN接面结构亦包含一N-型扩散掺杂层，其配置并连接于该P型扩散掺杂层及该N型扩散掺杂层之间。

作为优选技术方案，该N-型扩散掺杂层具有一N-型端面，且该N-型端面由该钝化层所覆盖。