[发明专利]封装胶结构及其制造方法和显示基板的封装方法在审
申请号: | 201510046443.9 | 申请日: | 2015-01-29 |
公开(公告)号: | CN104617230A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 全威;张家豪 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 胶结 及其 制造 方法 显示 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种封装胶结构及其制造方法和显示基板的封装方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)显示基板具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽、高对比度和高反应速度等特点。大尺寸OLED显示基板目前的主要封装方式包括薄膜封装、涂胶封装和面封装(Face seal)等。目前,面封装因其工艺简单等优点而被广泛应用,面封装工艺中主要应用的封装材料是封装胶结构,封装胶结构是由两层保护层和位于两层保护层之间的胶材组成的,其中,胶材为片状胶材。
面封装的工艺过程主要包括通过片状胶材将封装玻璃和显示基板粘接在一起。在进行面封装的过程中首先要剥离封装胶结构中的第一保护膜,并将第二保护膜通过胶材粘贴至封装基板上,而后撕掉第二保护膜,再将封装基板通过胶材粘贴至显示基板上以形成显示装置。
但是,现有技术中,第一保护膜和胶材的接触面积较大,从而导致了因粘结力而很难剥离第一保护膜的现象。
发明内容
本发明提供一种封装胶结构及其制造方法和显示基板的封装方法,用于使得第一保护膜容易剥离。
为实现上述目的,本发明提供了一种封装胶结构,包括:第一保护膜、胶材和第二保护膜,胶材位于所述第一保护膜和所述第二保护膜之间,所述第一保护膜的至少一个边缘设置有凹凸结构。
可选地,所述凹凸结构中凸起部位之间的间隔包括0.5mm至1mm。
可选地,所述第一保护膜的厚度包括25μm至100μm。
为实现上述目的,本发明提供了一种封装胶结构的制造方法,包括:
在第一保护膜的至少一个边缘形成凹凸结构;
将所述第一保护膜设置于胶材的第一面;
将第二保护膜设置于所述胶材的与第一面相对的第二面。
可选地,所述在第一保护膜的至少一个边缘形成凹凸结构包括:
通过热压工艺在第一保护膜的至少一个边缘形成凹凸结构。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板的封装方法,所述封装方法采用权利要求1所述的封装胶结构进行,所述方法包括:
将第一保护膜从胶材上剥离;
将第二保护膜通过胶材粘贴至封装基板上;
将第二保护膜从胶材上剥离;
将所述封装基板通过胶材粘贴至所述显示基板上。
可选地,所述凹凸结构中凸起部位之间的间隔包括0.5mm至1mm。
可选地,所述第一保护膜的厚度包括25μm至100μm。
可选地,所述显示基板包括OLED显示基板。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的封装胶结构及其制造方法和显示基板的封装方法的技术方案中,封装胶结构中胶材位于第一保护膜和第二保护膜之间,第一保护膜的至少一个边缘设置有凹凸结构,设置凹凸结构减小了第一保护膜和胶材的接触面积,从而使得第一保护膜容易剥离。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种封装胶结构的结构示意图;
图2为图1中第一保护膜的结构示意图;
图3为图1中A-A向剖视图;
图4为本发明实施例二提供的一种封装胶结构的制造方法的流程图;
图5为本发明实施例三提供的一种显示基板的封装方法的流程图;
图6a为实施例三中剥离第一保护膜的示意图;
图6b为实施例三中粘贴封装基板的示意图;
图6c为实施例三中剥离第二保护膜的示意图;
图6d为实施例三中粘贴显示基板的示意图;
图6e为实施例三中形成的显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的封装胶结构及其制造方法和显示基板的封装方法进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种封装胶结构的结构示意图,图2为图1中第一保护膜的结构示意图,图3为图1中A-A向剖视图,如图1、图2和图3所示,该封装胶结构包括:第一保护膜11、胶材12和第二保护膜13,胶材12位于第一保护膜11和第二保护膜13之间,第一保护膜11的至少一个边缘设置有凹凸结构14。
本实施例中,胶材12的形状为片状结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择