[发明专利]半导体存储器件、具有其的存储系统及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；

外围电路单元，其被配置成针对选自所述多个存储器单元的存储器单元执行编程操作，其中，第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行；以及

控制逻辑模块，其被配置成控制所述外围电路单元，以执行所述第一编程电压施加操作至所述第三编程电压施加操作和所述第一验证操作至所述第三验证操作，并且将在所述第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在所述第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压，以及将在所述第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比所述第二编程电压大第二步进电压，

其中，在执行所述第一编程电压施加操作之后，用于所述第一验证操作的第一验证电压具有在所述存储器单元的阈值电压分布宽度的一半的点处或者一半的点周围的电压值。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述控制逻辑模块控制所述外围电路单元，以在执行所述第三验证操作之后，根据所述第三验证操作的结果，利用第四编程电压来执行第四编程电压施加操作，其中，所述第四编程电压是所述第三编程电压增加第三步进电压的电压。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二步进电压是所述第一步进电压的一半，并且所述第三步进电压是所述第二步进电压的一半。

4.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，用于所述第一验证操作的所述第一验证电压是在执行所述第一编程电压施加操作之后，在所述存储器单元的阈值电压分布中最多数的存储器单元的阈值电压值。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，用于所述第二验证操作的第二验证电压是在执行所述第一编程电压施加操作之后，在所述存储器单元中具有最大的阈值电压值的存储器单元的阈值电压与所述第一验证电压之间的中间电压。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，用于所述第三验证操作的第三验证电压是在执行所述第一编程电压施加操作之后，在所述存储器单元中具有最大的阈值电压值的存储器单元的阈值电压与所述第二验证电压之间的中间电压。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路单元包括：

读取/写入电路，其被配置成根据在编程操作期间输入的编程数据来控制所述存储器单元阵列的位线的电位电平；以及

电压发生单元，其被配置成根据所述控制逻辑模块的控制来将第一编程电压至第四编程电压和所述第一验证电压至所述第三验证电压施加至选中的存储器单元。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述读取/写入电路通过将与所述第一验证操作的结果被判断为失败的存储器单元电耦接的位线的电位，设定成编程允许电压电平，来执行所述第二编程电压施加操作。

9.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述读取/写入电路通过如下来执行所述第三编程电压施加操作：将与所述第二验证操作的结果被判断为失败的存储器单元电耦接的位线的电位设定成编程允许电压电平；将与在被判断为失败的所述存储器单元之中、在所述第一编程电压被施加之后具有在所述第一验证电压与所述第二验证电压之间的阈值电压的存储器单元电耦接的位线，设定成第一编程允许电压电平；以及将与由于所述第二编程电压施加操作而具有从低于所述第一验证电压的位置至在所述第一验证电压与所述第二验证电压之间的位置移动的阈值电压的存储器单元电耦接的位线，设定成低于所述第一编程允许电压电平的第二编程允许验证电压电平。