[发明专利]半导体存储器件、具有其的存储系统及其操作方法

说明书

本发明的一个实施例可以提供一种半导体存储器件，其包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元；外围电路单元，其被配置成针对选自多个存储器单元的存储器单元执行编程操作，其中，第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行；以及控制逻辑，其被配置成控制外围电路单元来执行第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作，并且将在第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压，以及将在第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比第二编程电压大第二步进电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年6月12日提交的申请号为10-2014-0071544的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例总体而言涉及一种电子器件和方法，且更具体而言，涉及一种半导体存储器件、具有所述半导体存储器件的存储系统以及其操作方法。

背景技术

半导体存储器件是利用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体材料实施的存储器件。半导体存储器件典型地被分类为易失性存储器件或者非易失性存储器件。

易失性存储器件是在提供至存储器件的电源切断时储存在易失性存储器件中的数据丢失的存储器件。易失性存储器件的实例包括：静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件是在至存储器件的电力切断时储存在非易失性存储器件中的数据仍被保留或者保持的存储器件。非易失性存储器件的实例包括：只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、阻变RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。快闪存储器典型地被分类为或非(NOR)型存储器件或者与非(NAND)型存储器件。

发明内容

本发明的一个实施例可以提供一种半导体存储器件，其包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元。半导体存储器件还可以包括外围电路单元，其被配置成针对选自多个存储器单元的存储器单元执行编程操作，其中，第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行。半导体存储器件还可以包括控制逻辑，其被配置成控制外围电路单元来执行第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作，并且将在第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压，以及将在第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比第二编程电压大第二步进电压。

根据一个实施例的存储系统可以包括：半导体存储器件，其包括多个可编程的存储器单元；和控制器，其被配置成在收到来自主机的编程命令时，控制半导体存储器件的编程操作。半导体存储器件根据控制器的控制来交替地执行第一编程操作至第四编程操作和第一验证操作至第三验证操作。分别用于第一编程操作至第四编程操作的第一编程电压至第四编程电压可以被进一步地增加不同的步进电压。