[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

通过一次构图工艺在衬底基板上制作遮光层、扫描线和信号线，扫描线和信号线的交叉位置处，信号线/扫描线断开；

在完成上述步骤的衬底基板上制作缓冲层；

分别通过两次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作多晶硅有源层和栅极绝缘层；

通过一次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上制作栅极、源极、漏极、信号线/扫描线的搭接线和栅极与扫描线连接的连接线；

分别通过四次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作有机绝缘层、公共电极层、钝化层和像素电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过构图工艺制作多晶硅有源层，具体包括：

在缓冲层上沉积一层非晶硅有源层薄膜，对所述非晶硅有源层薄膜进行退火处理，得到多晶硅有源层薄膜；

在所述多晶硅有源层薄膜上涂覆光刻胶，通过掩膜板曝光、显影后形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分去除区和光刻胶完全保留区，其中，所述光刻胶部分去除区对应多晶硅有源层的掺杂区，所述光刻胶完全保留区对应多晶硅有源层的有源区；

通过刻蚀，去除光刻胶完全去除区的多晶硅有源层薄膜，并去除光刻胶部分去除区的光刻胶，暴露出所述多晶硅有源层薄膜；

对暴露出的多晶硅有源层薄膜进行掺杂，形成多晶硅有源层的掺杂区；

去除剩余光刻胶，形成多晶硅有源层的有源区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰色调掩膜板。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对暴露出的多晶硅有源层薄膜进行掺杂，包括：对暴露出的多晶硅有源层薄膜进行磷离子掺杂。

5.一种如权利要求1-4任一权项所述的方法制作得到的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于衬底基板上的遮光层、扫描线和信号线，依次位于遮光层、扫描线和信号线上的缓冲层、多晶硅有源层、栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上的栅极、源极、漏极、搭接线和连接线，依次位于栅极、源极、漏极、搭接线和连接线上的有机绝缘层、公共电极层、钝化层、像素电极层；其中，在所述扫描线和信号线的交叉位置处，信号线/扫描线断开，所述搭接线用于将断开的信号线/扫描线连接在一起，所述连接线用于连接栅极和扫描线。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述扫描线和信号线的交叉位置处信号线/扫描线断开，所述搭接线用于将断开的信号线/扫描线连接在一起，包括：

信号线连续不间断，扫描线在扫描线和信号线的交叉位置处断开，搭接线用于将断开的扫描线连接在一起；或，

扫描线连续不间断，信号线在扫描线和信号线的交叉位置处断开，搭接线用于将断开的信号线连接在一起。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层、扫描线和信号线的材料为金属钼。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌的单层膜，或为氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌的单层膜，或为氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

10.一种显示装置，其特征在于，所述装置包括权利要求5-9任一权项所述的阵列基板。