[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)材料由于具有极高的迁移率，得到越来越广泛的应用。低温多晶硅可以作为高性能液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)、有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示设备的半导体材料，并且可以将互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)电路集成在玻璃基板上，实现窄边框和低功耗。

现有技术中顶栅自对准型的低温多晶硅阵列基板的膜层结构包括：依次设置在衬底基板上的遮光层、缓冲层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏电极层、有机绝缘层、公共电极层、钝化层、像素电极层。该阵列基板的制作工艺流程如图1所示，按照图1中的低温多晶硅阵列基板的制作工艺流程可以看到，现有技术中制作低温多晶硅阵列基板时所需的掩膜板为9道，该制作工艺与现有技术的非晶硅面板的制作工艺相比，更为复杂耗时，严重降低了工业化生产产能，增加了成本。

综上所述，现有技术低温多晶硅阵列基板制作时需要的掩膜板较多，工艺复杂、成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少掩膜板数量，缩短工艺时间，提高生产效率，节约生产成本。

本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：

通过一次构图工艺在衬底基板上制作遮光层、扫描线和信号线，扫描线和信号线的交叉位置处，信号线/扫描线断开；

在完成上述步骤的衬底基板上制作缓冲层；

分别通过两次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作多晶硅有源层和栅极绝缘层；

通过一次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上制作栅极、源极、漏极、信号线/扫描线的搭接线和栅极与扫描线连接的连接线；

分别通过四次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作有机绝缘层、公共电极层、钝化层和像素电极层。

由本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，该制作方法包括：通过一次构图工艺在衬底基板上制作遮光层、扫描线和信号线，扫描线和信号线的交叉位置处，信号线/扫描线断开；在完成上述步骤的衬底基板上制作缓冲层；分别通过两次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作多晶硅有源层和栅极绝缘层；通过一次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上制作栅极、源极、漏极、信号线/扫描线的搭接线和栅极与扫描线连接的连接线；分别通过四次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作有机绝缘层、公共电极层、钝化层和像素电极层，由于该方法中遮光层、扫描线和信号线是在同一次构图工艺过程中制作得到的，因此只需一道掩膜板，该方法中栅极、源极、漏极、信号线/扫描线的搭接线和栅极与扫描线连接的连接线是在同一次构图工艺过程中制作得到的，因此只需一道掩膜板，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中所需的掩膜板为8道，与现有技术阵列基板的制作方法中需要9道掩膜板相比，减少了掩膜板数量，缩短工艺时间，提高生产效率，节约生产成本。

较佳地，通过构图工艺制作多晶硅有源层，具体包括：

在缓冲层上沉积一层非晶硅有源层薄膜，对所述非晶硅有源层薄膜进行退火处理，得到多晶硅有源层薄膜；

在所述多晶硅有源层薄膜上涂覆光刻胶，通过掩膜板曝光、显影后形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分去除区和光刻胶完全保留区，其中，所述光刻胶部分去除区对应多晶硅有源层的掺杂区，所述光刻胶完全保留区对应多晶硅有源层的有源区；

通过刻蚀，去除光刻胶完全去除区的多晶硅有源层薄膜，并去除光刻胶部分去除区的光刻胶，暴露出所述多晶硅有源层薄膜；

对暴露出的多晶硅有源层薄膜进行掺杂，形成多晶硅有源层的掺杂区；

去除剩余光刻胶，形成多晶硅有源层的有源区。

较佳地，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰色调掩膜板。

较佳地，所述对暴露出的多晶硅有源层薄膜进行掺杂，包括：对暴露出的多晶硅有源层薄膜进行磷离子掺杂。