[发明专利]背面金属化工艺方法有效
| 申请号： | 201510052284.3 | 申请日： | 2015-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104616983B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 傅荣颢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;C23C14/28;C23C14/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 金属化 工艺 方法 | ||
1.一种背面金属化工艺方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，将所述半导体衬底置于蒸镀腔室中，对所述蒸镀腔室抽真空；
打开所述蒸镀腔室内的卤素灯，所述蒸镀腔室内的温度升到第一预定温度；
保持所述第一预定温度，在所述半导体衬底的背面沉积一第一金属层，所述第一金属层与所述半导体衬底的背面相接触的部分形成一合金层；
关闭所述蒸镀腔室内的所述卤素灯，将所述蒸镀腔室内的温度降至第二预定温度。
2.如权利要求1所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述卤素灯照射的时间为3min-5min，使得所述蒸镀腔室内的温度升到所述第一预定温度。
3.如权利要求1所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第一预定温度为300℃-400℃。
4.如权利要求1所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第一金属层在所述半导体衬底背面的生长速率为
5.如权利要求1所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第二预定温度为100℃-150℃。
6.如权利要求1所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为小于等于200nm，所述第一金属层的材料为铝材料。
7.如权利要求1所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述蒸镀腔室内的温度降至所述第二预定温度之后，在所述第一金属层表面沉积第二金属层、第三金属层和第四金属层。
8.如权利要求7所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为20nm-200nm，所述第二金属层的材料为钛材料。
9.如权利要求7所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第三金属层的厚度为100nm-700nm，所述第三金属层的材料为镍材料。
10.如权利要求7所述的背面金属化工艺方法，其特征在于，所述第四金属层的厚度为100nm-1000nm，所述第四金属层的材料为银材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
