[发明专利]背面金属化工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种背面金属化工艺方法。

背景技术

在IGBT(Insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极性晶体管)以其驱动功率小、饱和压降低的优势，在直流电压600V以上的变频器、开关电源、照明电路和牵引传动电路领域得到广泛应用。

IGBT器件制造流程中，通常需要在衬底的背面形成背面合金结构，用作引出电极。通常，在衬底背面沉积金属层之后，需要进行一快速退火过程，使得金属层与衬底之间形成合金，从而降低金属层与衬底之间的欧姆接触电阻和势垒电压，否则IGBT器件的导通压降将明显增大。

背面金属层进行退火过程的工艺条件要求在适当的温度和氛围下，保证金属层不能发生氧化及其它化学反应，从而影响合金效果甚至导致金属层膜剥落。但是，在常压N₂环境工艺下，由于O₂不能完全杜绝，温度稍高时金属层氧化、剥落就容易发生。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种背面金属化工艺方法，在半导体衬底背面形成合金层，并保证不会发生金属层的剥落。

为解决上述技术问题，本发明提供一种背面金属化工艺方法，包括：

提供半导体衬底，将所述半导体衬底置于蒸镀腔室中，对所述蒸镀腔室抽真空；

打开所述蒸镀腔室内的卤素灯，所述蒸镀腔室内的温度升到第一预定温度；

保持所述第一预定温度，在所述半导体衬底的背面沉积一第一金属层，所述第一金属层与所述半导体衬底的背面相接触的部分形成一合金层；

关闭所述蒸镀腔室内的所述卤素灯，将所述蒸镀腔室内的温度降至第二预定温度。

可选的，所述卤素灯照射的时间为3min-5min，使得所述蒸镀腔室内的温度升到所述第一预定温度。

可选的，所述第一预定温度为300℃-400℃。

可选的，所述第一金属层在所述半导体衬底背面的生长速率为

可选的，所述第二预定温度为100℃-150℃。

可选的，所述第一金属层的厚度为小于等于200nm，所述第一金属层的材料为铝材料。

可选的，所述蒸镀腔室内的温度降至所述第二预定温度之后，在所述第一金属层表面沉积第二金属层、第三金属层和第四金属层。

可选的，所述第二金属层的厚度为20nm-200nm，所述第二金属层的材料为钛材料。

可选的，所述第三金属层的厚度为100nm-700nm，所述第三金属层的材料为镍材料。

可选的，所述第四金属层的厚度为100nm-1000nm，所述第四金属层的材料为银材料。

本发明提供的背面金属化工艺方法，在生长第一金属层时，先将蒸镀腔室内的温度升到第一预定温度，使得在沉积第一金属层时，半导体衬底的背面保持第一预定温度，第一金属层在沉积时与半导体衬底之间形成一合金层。因此，本发明的背面金属化工艺方法，可以在生长金属层的同时，形成合金层，避免金属层被氧化或者剥落。

附图说明

图1为本发明一实施例中背面和金工艺的方法流程图；

图2为本发明一实施例背面和金工艺的方法制备的半导体结构的剖面图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的背面金属化工艺方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。