[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201510053169.8 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN104821270B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 宫下拓也;濑川聪;长田直之 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 董雅会,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
第一主控制部,对所述基板处理装置进行控制,
多个下位控制部,作为所述第一主控制部的相对下位的控制等级设置,能够经过总线与所述第一主控制部进行串行通信;
多个所述下位控制部具有:
测量从属部,将与基板处理的动作状态相关的至少一个物理量作为指标值进行测量,将测量结果形成为能够被所述第一主控制部读取的测量数据信号发送至所述总线,
主从复合系统,设为针对调节部的控制系统,该调节部用于调节所述动作状态,该主从复合系统具有调节指令从属部、数据读取选择部、运算部、调节控制部,所述调节指令从属部从所述第一主控制部接收与所述动作状态的调节相关的指令信号,所述数据读取选择部具有第二主控制部,所述第二主控制部与所述第一主控制部并列地读取从所述多个下位控制部分别发送至所述总线的各信号,所述数据读取选择部选择所述各信号中的所述测量数据信号,所述运算部基于所述测量数据信号进行运算,生成针对所述调节部的控制信号,所述调节控制部基于来自所述运算部的所述控制信号来控制所述调节部。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述数据读取选择部具有:
所述第二主控制部,
选择用从属部,能够经过所述总线与所述第一主控制部通信,根据与所述第一主控制部的通信发送选通信号,
选择部,从所述第二主控制部接收所述各信号,从所述选择用从属部接收所述选通信号,基于所述选通信号来确定所述各信号的串行传输时机,来从所述各信号中选择所述测量数据信号。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述各信号中包含信号的发送源的地址信息,
所述数据读取选择部具有:
所述第二主控制部,
选择部,从所述第二主控制部接收所述各信号,选择所述各信号中的包含所述测量从属部的地址信息的信号来作为所述测量数据信号。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述动作状态为在所述基板处理中的特定的流体的状态;
所述指标值为所述流体的流量值,所述测量从属部为流量计。
5.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述动作状态为在所述基板处理中的特定的流体的状态;
所述指标值为所述流体的压力值,所述测量从属部为压力计。
6.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述动作状态为在所述基板处理中的特定的流体的状态;
所述指标值为在多个点处的所述流体的压力值的差,所述测量从属部为压差计。
7.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述调节部为调节所述流量值的阀。
8.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述调节部为调节所述压力值的阻尼器。
9.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述调节部为调节所述压力值的阻尼器。
10.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述主从复合系统的各元件安装于一个控制基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造