[发明专利]一种提高物理气相传输法生长4H‑SiC晶体晶型稳定性的方法有效
| 申请号： | 201510053360.2 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104562206B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;杨昆;胡小波;彭燕;陈秀芳;杨祥龙 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 物理 相传 生长 sic 晶体 稳定性 方法 | ||
1.一种提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，步骤如下：
（1）将碳化硅粉料盛放在置于单晶生长炉的石墨坩埚内，以碳极性面作为籽晶生长面，将籽晶固定在碳化硅粉料的正上方，在SiC粉料升华组分输运至籽晶路径上放置石墨材料；
在石墨坩埚和籽晶之间加入石墨材料的方式为：在碳化硅粉料内部或表面铺设石墨颗粒层，或者，在碳化硅粉料和籽晶之间设置石墨片；
所述的籽晶的晶型为4H或6H晶型；
所述的碳化硅粉料表面和籽晶表面的垂直距离为5～100mm；
（2）向单晶生长炉内通入气氛，保持单晶生长炉内压力为5～40 mbar，温度为2100～ 2240℃进行晶体生长，即可提高4H-SiC 单晶晶型稳定性。
2.根据权利要求1所述的提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，其特征在于，步骤（1）中籽晶偏向<11-20>方向的偏角为0～4°。
3.根据权利要求1所述的提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，其特征在于，步骤（1）中所述的石墨片为多孔石墨片，密度为1.2~1.7 g/cm3。
4.根据权利要求1所述的提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，其特征在于，步骤（2）中向单晶生长炉内通入的气氛为氩气、氩气氮气混合气或氩气氢气混合气。
5.根据权利要求4所述的提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，其特征在于，步骤（2）中氩气氮气混合气或氩气氢气混合气中氩气的体积分数为50~90%。
6.根据权利要求1所述的提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，其特征在于，步骤（2）中单晶生长炉内压力为15~30mbar。
7.根据权利要求1所述的提高4H-SiC 单晶晶型稳定性的方法，其特征在于，步骤（2）中温度为2110~2150℃。
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