[发明专利]光刻装置、光刻系统和物品的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻(lithography)装置、光刻系统和物品的制造方法。

背景技术

在作为半导体设备和液晶设备等的制造处理的光刻处理中，使用曝光装置，该曝光装置经由投影光学系统将标版(reticle)(掩模)图案转印到基板(表面涂覆有抗蚀剂的晶片或玻璃板)上。用于半导体设备的光刻处理具有：作为用于曝光装置进行曝光处理的预处理的涂覆(coating)处理、以及作为后处理的显影处理，涂覆处理利用抗蚀剂(光致抗蚀剂(photoresist))涂覆基板表面，并且显影处理对转印有图案的基板进行显影。作为执行涂覆处理和显影处理的装置，可利用被称为涂覆器/显影器的涂覆/显影装置，这种涂覆器/显影器具有在高速转动基板的同时利用抗蚀剂均匀地涂覆基板表面的涂覆功能(旋转涂覆器)和显影功能。

布置在相邻装置之间的基板输送机构自动地在曝光装置和涂覆/显影装置之间输送基板，以避免对各处理中所处理的批次(lot)进行装载的繁琐操作，并且在维持抗蚀剂的化学特性的同时提高了吞吐量。此外，将曝光装置连接到涂覆/显影装置的方式被称为内联连接(inline connection)，并且在很多光刻系统中被采用。

在用于半导体设备的光刻处理中，形成抗蚀剂图案，当执行蚀刻或杂质注入时抗蚀剂图案用作掩模。在这种情况下，当基于在基板上形成的对准标记的位置来校正曝光位置的同时(即，执行对准处理的同时)，执行曝光以在下层图案上覆置(overlay)标版图案。

为了提高覆置精度，可以针对基板上所有照射区域(shot region)执行对准处理。为了将这种技术应用在半导体设备的制造处理中，还需要满足吞吐量的要求。在这种情况下，日本特许第4419233号公报和日本特许第4905617号公报已经提出了如下技术：通过将表示第一层上的图案的形成位置失真的初始失真数据用于第二层及后续层上的图案曝光中的对准，以减少第二层及后续层的对准检测的次数。

为了进一步提高覆置精度和吞吐量，可以考虑管理针对单个批次中的各基板而改变的校正值(偏移)，并且反映各校正值。

然而，当通过以基板为单位反映偏移来提高覆置精度时，可能因针对各基板未能恰当地反映偏移，而不能够恰当地维持覆置精度。这是因为，例如，在涂覆/显影装置中，当发生基板遗失以及发生批次中的基板的缺陷(遗漏)时，在以基板为单位的偏移与处理对象基板之间的关系中会发生不一致(基板移位)。在这种情况下，这批基板上的覆置精度劣化，导致了返工的必要性。

发明内容

本发明提供了一种有利于在批次中的多个基板中的处理对象基板上、反映相应的偏移校正信息的技术。

根据本发明的第一方面，提供了一种光刻装置，所述光刻装置执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板；以及处理单元，其被构造为基于所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中，选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。

根据本发明的第二方面，提供了一种光刻装置，所述光刻装置执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，并且从与所述光刻装置相连接的主计算机获得第二指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，所述第二指定信息指定所述多个基板中的各个基板；以及检测单元，其被构造为基于所述第一指定信息和所述第二指定信息，检测所述多个基板中的、没有从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的基板。