[发明专利]一种基于等离子体制备石墨烯薄膜的装置及其方法有效
申请号: | 201510057529.1 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN104671237A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 薄拯;岑可法;严建华;池涌;李晓东;钱佳静 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 等离子体 制备 石墨 薄膜 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明属于储能材料技术领域,尤其涉及一种基于等离子体制备石墨烯薄膜的装置及其方法。
背景技术
石墨烯(graphene)是由一层碳原子以sp2杂化轨道构成的六边形晶格材料,是目前发现的最薄的二维材料,自2004年由英国曼切斯特大学科学家Geim等从石墨晶体中首次成功剥离获得以来,石墨烯材料因其具有较高的强度(125 GPa)、良好的导热性能(约5000W/(m?K))、优异的载流子迁移率(200000 cm2/(V?s))以及超大的比表面积(理论值2630 m2/g)等,在电子、信息、能源以及复合材料等领域展示出了广阔的应用前景,极大地促进了高质量石墨烯的大规模、批量化制备技术。
目前石墨烯的制备方法可分为物理方法和化学方法,物理法包括微机械剥离法、液相或气相直接剥离法和热分解SiC法,化学法包括还原氧化石墨烯法、化学气相沉积法、外延生长法、溶剂剥离法和有机合成法等。各种方法特点各不相同,互有优势。例如,微机械剥离法需要复杂的步骤,寻找到性能较好的石墨烯片层几率小;外延生长法能得到质量好的石墨烯,但需要高真空条件和昂贵的仪器,且只能获得尺寸较小的石墨烯,难以实现石墨烯的规模化生产。
还原氧化石墨烯是目前研究较为广泛的方法,从 Brodie法、Staudenmeier法、Hummers法等制备得到氧化石墨烯出发,通过化学还原剂还原、高温热处理还原、等离子体还原等方法对其进行还原,得到石墨烯。其中化学还原剂还原成本较低,工艺简单,反应温和,适合大规模生产,但生产流程耗时大,另外,由此引入的还原剂较难去除,且具一定的毒性、易燃易爆性,易造成环境污染,危害人体健康。相对的,高温还原法耗时短,无污染,但一般需要1000 oC左右的高温和惰性气体或还原气体气氛,对设备热稳定要求高,工艺成本高,能耗高。
采用等离子体还原法制备石墨烯,具能耗低,耗时少,产品纯度高,对环境友好等优点,一般采用的等离子体源主要包括电子束等离子体源,20~100毫托(M. Baraket, S.G. Walton, et al. Carbon, 2010; 48: 3382-3390);射频电感耦合等离子体源,500 毫托(Wang Q, Song MM, et al. Applied Physics Letters, 2012; 101: 033103);远距离放电等离子体,101 kPa(S. W. Lee, C. Mattevi, at al. The Journal of Physical Chemical Letters, 2012; 3:772-777);介质阻挡放电等离子体源,101 kPa(Zhou Q, Zhao ZB, et al. Journal of Materials Chemical, 2012; 22: 6061)等。但上述等离子体电子能量大,还原过程将破坏石墨烯片层结构,且对发射源要求高,一定程度上阻碍了这种优质纳米材料的大规模制备及应用。因而在现有的等离子体还原氧化石墨烯的基础上,寻求一种新型温和且高效的还原方法迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种基于等离子体制备石墨烯薄膜的装置及其方法。
基于等离子体制备石墨烯薄膜的装置包括气体调节阀、质量流量计、高压负电源、阴电极、样品支撑架、阳电极、石英管、真空泵、真空调节阀、真空计、负辉区、法拉第暗区;石英管中间横向设有样品支撑架,石英管上部设有阴电极,石英管下部设有阳电极,石英管上、下端设有密封橡皮塞,阴电极与样品支撑架之间设有负辉区,阳电极与样品支撑架之间设有法拉第暗区,气体调节阀经质量流量计、上端密封橡皮塞与石英管上部相连,高压负电源经上端密封橡皮塞与阴电极相连,真空泵经真空调节阀、真空计、下端密封橡皮塞与石英管下部相连,阳电极经下端密封橡皮塞接地。
所述高压负电源电压为7~10千伏。所述阴电极、阳电极的材质为金属或石墨。所述样品支撑架由石英管中部横截面上的四个凹槽组成,相邻凹槽间隔90o,每个槽深为6毫米。所述阴电极与样品支撑架的距离可调。所述阳电极与样品支撑架的距离可调。
基于等离子体制备石墨烯薄膜的方法包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;,未经浙江大学;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510057529.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。