[发明专利]用于检查测试图形库的覆盖率的方法和光学邻近修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法和光学邻近修正(Optical Proximity Correction,OPC)方法。

背景技术

随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。

OPC主要是对半导体某一特定层形成修正图案进行修正，即将欲曝光在晶片的半导体基底上的原始图案，利用计算机和套装软件运算加以计算修正，得到与原始图案不同的结果图形，再将此结果图形输入计算机存档。根据OPC所得到的结果图形制作于光罩上，光束透过此光罩投影在半导体基底上的图案可与原始图案几乎相同。

然而，随着设计版图越来越复杂，测试图形的设计也变得繁琐，如何高效设计能够完全覆盖设计版图的测试图形库成为问题。设计包括大量测试图形的库将浪费开发者大量的时间，而设计的测试图形库覆盖不全将导致新的下线(tape-out)问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法，所述方法包括：创建预定大小的栅格；对组成所述栅格的一个或多个网格进行预定义；计算经预定义的所述栅格内的所有测试图形；在所述所有测试图形中筛选出不违反设计规则的测试图形；以及将筛选出的测试图形与原有测试图形库进行比对，确定所述原有测试图形库的覆盖率。

在本发明的一个实施例中，所述栅格包括N╳N网格阵列，其中N为正整数。

在本发明的一个实施例中，所述栅格包括5╳5网格阵列。

在本发明的一个实施例中，所述预定义进一步包括：将所述一个或多个网格预定义为0或1，其中0表示所述网格处为空，1表示所述网格处存在图形。

在本发明的一个实施例中，所述预定义包括对所述栅格的最中央网格单元进行预定义。

在本发明的一个实施例中，所述所有测试图形的计算基于计算机编程方法。

在本发明的一个实施例中，所述计算机编程方法包括MATLAB的蒙特卡洛算法。

在本发明的一个实施例中，所述比对包括运行图案匹配。

在本发明的一个实施例中，所述图案匹配允许模糊匹配。

本发明还提供一种用于光学邻近修正的方法，所述方法包括在进行上述任一项用于检查测试图形库的覆盖率的方法的步骤后，将所述筛选出的测试图形中未包括在所述原有测试图形库中的测试图形添加到所述原有测试图形库中，以形成新的测试图形库用于光学邻近修正。

本发明所提供的用于检查测试图形库的覆盖率的方法可以得到测试图形库的几何覆盖能力，为光学邻近修正后续的精准修正提供基础。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出了根据本发明实施例的用于检查测试图形库的覆盖率的方法的流程图；

图2示出了根据本发明实施例创建的栅格的示例；以及

图3a和图3b示出了根据本发明实施例计算出的测试图形的示例。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。