[发明专利]一种应用于低功耗PipelineADC的比较器有效

专利信息
申请号: 201510059167.X 申请日: 2015-02-04
公开(公告)号: CN104639167B 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 吴建辉;郭娜;陈超;黄成;李红;张萌 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 黄成萍
地址: 214135 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 功耗 pipelineadc 比较
【权利要求书】:

1.一种应用于低功耗Pipeline ADC的比较器,其特征在于:包括比较电路和辅助电路,其中比较电路包括预防大电路和锁存电路,各个电路的具体结构如下:

所述预防大电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6,所述锁存电路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9和第十PMOS管MP10,所述辅助电路包括第六NMOS管MN6和第七NMOS管MN7;

第一PMOS管MP1的源极接电源VDD,第一PMOS管MP1的栅极接第二PMOS管MP2的栅极、第六NMOS管MN6的漏极和第七NMOS管MN7的源极,第一PMOS管MP1的漏极接第四PMOS管MP4的源极和第六PMOS管MP6的源极;

第二PMOS管MP2的源极接电源VDD,第二PMOS管MP2的栅极接第一PMOS管MP1的栅极、第六NMOS管MN6的漏极和第七NMOS管MN7的源极,第二PMOS管MP2的漏极接第三PMOS管MP3的源极和第五PMOS管MP5的源极;

第三PMOS管MP3的栅极接输入电压VREFP,第三PMOS管MP3的源极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的源极,第三PMOS管MP3的漏极接第六PMOS管MP6的漏极、第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的漏极和第五NMOS管MN5的源极;

第四PMOS管MP4的栅极接输入电压VREFN,第四PMOS管MP4的源极接第一PMOS管MP1的漏极和第六PMOS管MP6的源极,第四PMOS管MP4的漏极接第五PMOS管MP5的漏极、第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的源极和第四NMOS管MN4的源极;

第五PMOS管MP5的栅极接输入电压VIP,第五PMOS管MP5的源极接第二PMOS管MP2的漏极和第三PMOS管MP3的源极,第五PMOS管MP5的漏极接第四PMOS管MP4的漏极、第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的源极和第四NMOS管MN4的源极;

第六PMOS管MP6的栅极接输入电压VIN,第六PMOS管MP6的源极接第一PMOS管MP1的漏极和第四PMOS管MP4的源极;第六PMOS管MP6的漏极接第三PMOS管MP3的漏极、第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的漏极和第五NMOS管MN5的源极;

第一NMOS管MN1的栅极接第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的漏极、第五NMOS管MN5的源极、第三PMOS管MP3的漏极和第六PMOS管MP6的漏极,第一NMOS管MN1的源极接地,第一NMOS管MN1的漏极接第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的源极、第四NMOS管MN4的源极、第四PMOS管MP4的漏极和第五PMOS管MP5的漏极;

第二NMOS管MN2的栅极接第一NMOS管MN1的漏极、第三NMOS管MN3的源极、第四NMOS管MN4的源极、第四PMOS管MP4的漏极和第五PMOS管MP5的漏极,第二NMOS管MN2的源极接地,第二NMOS管MN2的漏极接第一NMOS管MN1的栅极、第三NMOS管MN3的漏极、第五NMOS管MN5的源极、第三PMOS管MP3的漏极和第六PMOS管MP6的漏极;

第三NMOS管MN3的栅极接时钟信号CK2,第三NMOS管MN3的源极接第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极、第四NMOS管MN4的源极,第四PMOS管MP4的漏极和第五PMOS管MP5的漏极,第三NMOS管MN3的漏极接第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的漏极、第五NMOS管MN5的源极,第三PMOS管MP3的漏极和第六PMOS管MP6的漏极;

第四NMOS管MN4的栅极接第五NMOS管MN5的栅极和时钟信号CK1,第四NMOS管MN4的源极接第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的源极、第四PMOS管MP4的漏极和第五PMOS管MP5的漏极,第四NMOS管MN4的漏极接第七PMOS管MP7的漏极、第八PMOS管MP8的漏极和第九PMOS管MP9的栅极;

第五NMOS管MN5的栅极接第四NMOS管MN4的栅极和时钟信号CK1,第五NMOS管MN5的源极接第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的漏极、第三PMOS管MP3的漏极和第六PMOS管MP6的漏极,第五NMOS管MN5的漏极接第八PMOS管MP8的栅极、第九PMOS管MP9的漏极和第十PMOS管MP10的漏极;

第六NMOS管MN6的栅极接时钟信号CK1,第六NMOS管MN6的源极接比较器的偏置电压VB,第六NMOS管MN6的漏极接第七NMOS管MN7的源极、第一PMOS管MP1的栅极和第二PMOS管MP2的栅极;

第七NMOS管MN7的栅极接时钟信号CK2,第七NMOS管MN7的源极接第六NMOS管MN6的漏极、第一PMOS管MP1的栅极和第二PMOS管MP2的栅极,第七NMOS管MN7的漏极接电源VDD;

第七PMOS管MP7的栅极接时钟信号CK1,第七PMOS管MP7的源极接电源VDD,第七PMOS管MP7的漏极接第四NMOS管MN4的漏极、第八PMOS管MP8的漏极和第九PMOS管MP9的栅极;

第八PMOS管MP8的栅极接第九PMOS管MP9的漏极和第十PMOS管MP10的漏极,第八PMOS管MP8的源极接电源VDD,第八PMOS管MP8的漏极接第四NMOS管MN4的漏极、第七PMOS管MP7的漏极和第九PMOS管MP9的栅极;

第九PMOS管MP9的栅极接第七PMOS管MP7的漏极和第八PMOS管MP8的漏极,第九PMOS管MP9的源极接电源VDD,第九PMOS管MP9的漏极接第五NMOS管MN5的漏极、第八PMOS管MP8的栅极和第十PMOS管MP10的漏极;

第十PMOS管MP10的栅极接时钟信号CK1,第十PMOS管MP10的源极接电源VDD,第十PMOS管MP10的漏极接第五NMOS管MN5的漏极、第八PMOS管MP8的栅极和第九PMOS管MP9的漏极;

输出端OUTP接第五NMOS管MN5的漏极、第八PMOS管MP8的栅极、第九PMOS管MP9的漏极和第十PMOS管MP10的漏极,输出端OUTN接第四NMOS管MN4的漏极、第七PMOS管MP7的漏极、第八PMOS管MP8的漏极和第九PMOS管MP9的栅极。

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