[发明专利]Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏

说明书

本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm²以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。

技术领域

本发明涉及：α射线量少的Ag球；将Ag球用焊料镀层覆盖而成的Ag芯球；将Ag球用助焊剂层覆盖而成的助焊剂涂布Ag球；将Ag芯球用助焊剂层覆盖而成的助焊剂涂布Ag芯球；使用Ag球、助焊剂涂布Ag球、Ag芯球以及助焊剂涂布Ag芯球的焊料接头；使用Ag球、助焊剂涂布Ag球、Ag芯球以及助焊剂涂布Ag芯球的成形焊料(formed solder；成形为规定形状的焊料)；使用Ag球、助焊剂涂布Ag球、Ag芯球以及助焊剂涂布Ag芯球的焊膏；使用Ag球的Ag糊剂；使用Ag芯球的Ag芯糊剂。

背景技术

近年来，由于小型信息设备的发达，所搭载的电子部件正在迅速小型化。电子部件根据小型化的要求，为了应对连接端子的窄小化、安装面积的缩小化，正在应用在背面设置有电极的球栅阵列封装(以下称为“BGA”)。

利用BGA的电子部件中，例如有半导体封装体。半导体封装体中，具有电极的半导体芯片被树脂密封。半导体芯片的电极上形成有焊料凸块。该焊料凸块通过将焊料球接合于半导体芯片的电极而形成。利用BGA的半导体封装体以各焊料凸块与印刷电路板的导电性焊盘接触的方式放置在印刷电路板上，利用加热而熔融了的焊料凸块与焊盘接合，从而搭载于印刷电路板。另外，为了应对进一步的高密度安装的要求，正在研究将半导体封装体在高度方向上堆叠而成的三维高密度安装。

但是，在进行了三维高密度安装的半导体封装体上应用BGA时，由于半导体封装体的自重，焊料球被压碎，电极间会发生连接短路。这在进行高密 度安装上成为障碍。

所以，研究了利用由Ag等比焊料的熔点高的金属形成的微小直径的球的焊料凸块。关于具有Ag球等的焊料凸块，在将电子部件安装于印刷电路板时，即使半导体封装体的重量施加于焊料凸块，也能够利用在焊料的熔点下不熔融的Ag球支撑半导体封装体。因此，不会因半导体封装的自重而使焊料凸块被压碎。作为相关技术，例如可列举出专利文献1。

此外，电子部件的小型化使高密度安装成为可能，但高密度安装会引起软错误的问题。软错误是指存在α射线进入到半导体集成电路(以下称为“IC”)的存储单元中从而改写记忆内容的可能性。α射线被认为是通过焊料合金中的U、Th、Po等放射性元素发生α衰变而放射的。所以，近年来，进行了减少放射性元素的含量的低α射线的焊料材料的开发。

因此，需要专利文献1中记载那样的α射线量低的Ag、Ag合金。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-214040号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，至今，关于兼顾Ag球的α射线与表示以何种水平接近完美球形的球形度，没有进行过任何考虑。因此，以下的问题尚未得到解决：在形成焊料凸块时控制焊点高度(stand-off height)，并且在Ag球的焊料接合后防止伴随来自Ag球中的杂质的放射性元素、放射性同位素的扩散而释放α射线，防止自Ag球放射出的α射线进入半导体芯片的存储单元而产生软错误。