[发明专利]管芯到管芯接合以及相关联的封装构造有效

专利信息
申请号: 201510062148.2 申请日: 2015-02-05
公开(公告)号: CN104900626B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: O·G·卡尔哈德;D·马利克;R·V·马哈詹;A·P·阿卢尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/482;H01L23/535;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 管芯 接合 以及 相关 封装 构造
【权利要求书】:

1.一种封装组件,包括:

封装衬底,其具有设置在第一侧上的阻焊层和与所述第一侧相对设置的第二侧;

第一管芯,其安装在所述第一侧上并且具有通过一个或多个第一管芯级互连件来与所述封装衬底电耦合的有源侧;以及

第二管芯,其使用一个或多个第二管芯级互连件来与所述第一管芯的所述有源侧接合,其中,所述第二管芯的至少一部分设置在延伸穿过所述阻焊层并且延伸到所述封装衬底的设置在所述阻焊层下面的层压层中的空腔中,并且所述第二管芯的至少一部分设置在所述空腔的延伸到所述层压层中的部分中,以使得所述层压层的材料位于所述封装衬底的所述第二侧与所述第二管芯之间;

金属特征,其设置在所述层压层中、在所述封装衬底的所述第二侧与所述第二管芯之间,其中,所述金属特征是大体上平行于所述第二管芯的停止层并且与所述空腔直接相邻并大体上延伸跨过所述第二管芯;

其中,所述空腔的延伸到所述封装衬底中的深度能够根据所述第二管芯的厚度而变化。

2.根据权利要求1所述的封装组件,还包括:

第三管芯,其安装在所述封装衬底的所述第一侧上并且具有通过一个或多个第三管芯级互连件来与所述封装衬底电耦合的有源侧,其中,所述第二管芯通过一个或多个第四管芯级互连件来与所述第三管芯的所述有源侧接合。

3.根据权利要求2所述的封装组件,其中,所述第二管芯被配置为在所述第一管芯与所述第三管芯之间路由电信号。

4.根据权利要求2所述的封装组件,其中,所述空腔为第一空腔,所述封装组件还包括:

形成在所述阻焊层中的第二空腔,其中,所述第三管芯的至少一部分设置在所述第二空腔中。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的封装组件,还包括:

与所述第一管芯的非有源侧耦合的集成散热器(IHS);以及

设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间的环氧树脂材料。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的封装组件,其中,厚度为30微米到50微米的所述第二管芯设置在所述空腔中。

7.根据权利要求1-4中的任一项所述的封装组件,其中,所述第一管芯为处理器,并且所述第二管芯为存储器或功率管理部件。

8.根据权利要求7所述的封装组件,其中,所述第二管芯为具有磁芯电感器的功率管理部件。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的封装组件,还包括:

封装级互连件,其设置在所述封装衬底的所述第二侧上,并且被配置为在所述第一管芯与所述封装衬底外部的电器件之间路由电信号。

10.一种封装衬底,包括:

设置在所述封装衬底的第一侧上的阻焊层;

与所述第一侧相对设置的所述封装衬底的第二侧;

接触部,其设置在所述第一侧上并且被配置为与设置在第一管芯的有源侧上的管芯级互连件耦合;以及

延伸穿过所述阻焊层并且延伸到所述封装衬底的设置在所述阻焊层下面的层压层中的空腔,所述空腔被配置为在第二管芯与所述第一管芯的所述有源侧接合时容纳所述第二管芯的至少一部分,以使得所述层压层的材料位于所述封装衬底的所述第二侧与所述第二管芯之间;

金属特征,其设置在所述层压层中、在所述封装衬底的所述第二侧与所述第二管芯之间,其中,所述金属特征是大体上平行于所述第二管芯的停止层并且与所述空腔直接相邻并大体上延伸跨过所述第二管芯;

其中,所述空腔的延伸到所述封装衬底中的深度能够根据所述第二管芯的厚度而变化。

11.根据权利要求10所述的封装衬底,其中,所述接触部为第一接触部,所述封装衬底还包括:

第二接触部,其设置在所述第一侧上并且被配置为与设置在第三管芯的有源侧上的管芯级互连件耦合,其中,所述空腔设置在所述第一接触部与所述第二接触部之间。

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