[发明专利]半导体结构及内连线结构形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于其包括：

一导电层，位于该半导体结构中；

一覆盖层，覆盖该导电层；

一介电层，形成于该覆盖层之上；以及

一内连线结构，位于该介电层与该覆盖层中，并与该导电层接触，该内连线结构具有一在该介电层处的第一尺寸以及一在该覆盖层处的第二尺寸,以及一在该覆盖层底部处的第三尺寸，该第二尺寸大于或等于该第一尺寸，当该第二尺寸等于该第一尺寸时，该第三尺寸大于该第一尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第三尺寸较该第二尺寸宽。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第二尺寸较该第一尺寸宽。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该内连线结构包括一倒T形的中介窗。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该覆盖层包括氮化物。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该介电层的材料包括氧化硅、正硅酸乙酯及低介电常数材料中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该内连线结构还具有一在介电层的顶面处的第四尺寸，该第四尺寸不小于该第一尺寸。

8.一种内连线结构形成方法，该内连线结构在半导体结构中具有一倒T形，其特征在于该方法包括以下步骤：

提供并设置一导电层于该半导体结构中；

沉积一覆盖层于该导电层之上；

以一介电层覆盖该覆盖层；

进行蚀刻，穿过该介电层及该覆盖层以连接该导电层，该内连线结构具有一在该介电层的底部或底面处的第一尺寸，该蚀刻步骤包括：

产生一在该覆盖层的顶部或顶面处的第二尺寸以及一在该覆盖层的底部或底面处的第三尺寸，其中该第二尺寸大于或等于该第一尺寸，当该第二尺寸等于该第一尺寸时，该第三尺寸大于该第一尺寸。

9.根据权利要求8所述的内连线结构形成方法，其特征在于其中沉积步骤包括沉积一层包括硅化学组合物的化合物中的至少一个。

10.根据权利要求8所述的内连线结构形成方法，其特征在于其中该内连线结构包括一倒T形的中介窗。