[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201510065454.1 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN104616976B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 基村雅洋;小路丸友则;江本哲也;奥谷学;尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
第一疏水化工序,将第一疏水剂供给至基板来使该基板的表面疏水化;
第二疏水化工序,在所述第一疏水化工序之后进行,将与所述第一疏水剂不同的第二疏水剂供给至所述基板来使该基板的表面疏水化;
干燥工序,在所述第二疏水化工序之后进行,使所述基板干燥,
该基板处理方法还包括在所述第一疏水化工序或第二疏水化工序结束之后到所述干燥工序结束为止,维持所述基板的表面不与水接触的状态的工序。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,所述基板处理方法是对形成有层叠膜的图案的基板进行处理的方法,所述层叠膜具有下层膜以及上层膜,
所述第一疏水剂是使所述下层膜疏水化的疏水剂,
所述第二疏水剂是使所述上层膜疏水化的疏水剂。
3.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
水清洗工序,在所述第一疏水化工序之前进行,将含有水的清洗液供给至所述基板;
第一溶剂清洗工序,在所述水清洗工序之后且所述第一疏水化工序之前进行,将能够使所述清洗液以及所述第一疏水剂溶解的第一溶剂供给至所述基板。
4.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,还包括第二溶剂清洗工序,该第二溶剂清洗工序在所述第一疏水化工序之后且所述第二疏水化工序之前进行,将能够使所述第一疏水剂以及所述第二疏水剂溶解的第二溶剂供给至所述基板。
5.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,所述第一疏水化工序包括将所述第一疏水剂的蒸汽供给至所述基板的第一蒸汽供给工序,
所述第二疏水化工序包括将所述第二疏水剂的蒸汽供给至所述基板的第二蒸汽供给工序,
所述干燥工序包括使在所述基板上附着的所述第二疏水剂蒸发的蒸发工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510065454.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:循环向量化方法和设备
- 下一篇:用于检测和测量绝缘故障的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造